三星平泽 P5 工厂第一期购买高达 70 套曝光设备，因应 HBM4 市场需求

韩国媒体报导，半导体大厂三星已被确认向 ASML 订购了约 20 套用于 10 奈米以下先进製程的 EUV 曝光机。若连同订购的 DUV 曝光机计算在内，此次曝光设备总订购规模达到约 70 套。对此，三星电子表示至今尚未有相关决策。。

报导引用据多位半导体市场人士的说法指出，三星已向 ASML 及日本佳能（Canon）发出採购订单，计画为其平泽园区 P5工厂一期第一阶段导入约 70 套曝光设备。其中，EUV 曝光机约 20 套，订单金额预计超过 10 兆韩圜。这些设备将用于提升 DRAM 专用的 10 奈米级第六代 1c 製程的产能。随着 1c 製程的生产效率提高，採用该製程技术所生产的 HBM4 产量也将随之提升。

三星在 2026 年2月已达成 HBM4 的全球首产，并向全球最大 AI 半导体公司辉达供货。HBM4 将搭载于辉达最新 Rubin 高性能 GPU 中。市场预计，将于 2026 年下半年正式推出的 Rubin 将供应给 Google、亚马逊等美国科技大厂，并带来超过 1 兆美元的市场规模。

与此同时，三星也在配合 Rubin 发表节奏，扩大华城 H3 工厂 17线，以及平泽 P3、P4 工厂的 HBM4 产能。随着此次订购的 EUV 设备从 ASML 陆续导入，三星的 DRAM 与 HBM4 产量预计将同步提升，进而进一步巩固其在记忆体市场的领先地位。

本次订购的曝光设备预计将配合 2027年 第一季建成的 P5 一期无尘室投入使用。考量到半导体设备运输通常需要约一年时间，预计三星将在 2027 年第二季将包括 EUV 在内的曝光设备导入 P5 工厂无尘室。因此，其 1c 製程 DRAM 及 HBM4 产能有望大幅提升。

一位熟悉情况的市场人士指出，过去新建晶圆厂通常优先布局 NAND 快闪记忆体产线。但此次由于 HBM4 预期出货量大增，使得三星决定优先扩建 DRAM 产线。预计从 2027 年第二季开始，EUV 曝光设备将陆续导入。