AI记忆体超级循环来了 明年HBM合约价看涨数倍

AI 基础设施需求持续升温，带动记忆体市场进入新一波涨价循环。TrendForce 指出，在 DRAM 供给吃紧及三星、SK 海力士、美光议价能力提升下，预估 2027 年 HBM 合约价格将大幅飙升数倍。

随着 2026 年第二季接近尾声，市场谈判焦点已全面转向 2027 年的 HBM4 供应协议，显示出买方对于锁定未来产能的迫切需求。

从市场获利与产能配置的角度来看，传统 DRAM 自 2025 年下半年起便呈现显着的上涨趋势。

值得注意的是，在 2026 年第一季，DDR5 64GB RDIMM 的晶圆收入一度超越 HBM，导致 HBM 的获利能力短暂低于传统高端 DRAM。

为因应此一市场动态，晶片供应商积极透过长期协定定价（LTA）机制，灵活调配 HBM 与传统 DRAM 之间的生产比重。

这项调控机制不仅确保了作为 AI 运算核心的 HBM 能稳定供应，更同步带动了包括伺服器用 RDIMM、LPDDR 以及边缘设备专用 DRAM 等整体 AI 生态系统的广泛需求。

需求端方面，推动 HBM 持续成长的关键动能将在今明两年展现不同面貌。

2026 年的成长主要由人工智慧专用积体电路（AI ASIC）的规格升级所驱动，单颗晶片的 HBM 搭载容量将自过去的 96GB/192GB，显着提升至 216GB/288GB。

同时，辉达 GPU 出货量的持续攀升也扮演了关键角色。进入 2027 年后，随着辉达新一代 Rubin Ultra 平台将单颗 GPU 的 HBM 容量进一步拉高至 384GB，加上 Google TPU 等 AI ASIC 平台的部署规模持续扩大，将为 HBM 市场注入更强劲的成长动能。

为了满足庞大的 AI 需求，三大供应商正加速将产能向 HBM 倾斜。预估至 2027 年底，三大厂投入 HBM 的晶圆比重将从 2025 年底的 18% 大幅提升至 30%，其位元供应量佔整体 DRAM 的比例也将达到 13%。

随着 HBM 产品世代交替、晶片尺寸扩大，对传统 DRAM 产能的挤出效应将在明年进一步加剧。

这不仅限制了传统记忆体的供给空间，也为供应商在明年的合约价谈判中提供了极为有利的支撑，预期将进一步巩固并增强供应商的定价主导权。