力积电和美光签合作意向书后 启动DRAM製程精进计画因应需求强劲

力积电 (6770-TW) 今 (21) 日宣布，鑒于记忆体景气快速翻升，继与美光 (MU-US) 签订合作意向书后，公司随即展开 DRAM 製程精进计画，以回应下游记忆体 IC 设计客户发展容量更高、速度更快 DRAM 的强劲需求，争取缺货价扬商机。 

力积电新竹 12 吋晶圆厂区记忆体产能每月约 5 万片，以 2x 奈米製程为主，为客户提供 DRAM、Flash 代工服务，由于全球 DRAM 市场因 AI 应用爆发而呈现长期供不应求趋势，该公司近月以来感受到客户端的强大需求压力，因此决定启动提升记忆体製程的新投资计画。 

力积电表示，为争取时效，该公司董事会已于日前针对投资新设备提升 DRAM 製程的规画通过增资案，配合铜锣厂售予美光、双方策略合作的合约在第二季签订，待力积电今年度股东常会通过后，将根据经营团队的规划儘速展开设备採购作业，将该公司 P3 厂现有月产逾 3 万片的 DRAM 生产线升级。

力积电透露，根据双方已签署的意向书，该公司除将长期提供美光 DRAM 后段先进封装代工服务之外，美光也将协助力积电 P3 厂的 DRAM 製程精进，这项技术提升计画的快速执行，将能让力积电的 DRAM 代工製程稳健推进，除将协助国内、外记忆体设计业者发展容量更高、速度更快的高规格产品，同时也将使该公司的 WOW(晶圆堆叠) 的代工服务更具竞争力，满足大型终端客户在 AI 应用的需求。