NAND晶圆成本单月飙涨25% 专家示警：行业恐面临周期性崩溃

最新市场数据显示，今年 2 月记忆体现货价格整体上扬，其中 NAND 快闪记忆体晶圆涨幅最明显。专家最新示警，随着供需之间缺口持续扩大，现货价格快速攀升，採购资金压力同步增加，若趋势不变，业界恐面临周期性崩溃风险。

具体来看，DDR5 16G(2Gx8) 晶片均价升至 39 美元，月增 7.4%，1Tb TLC 快闪晶圆涨 25% 至 25 美元，成为月度涨幅冠军。虽然春节假期使 2 月中的交易降温，但假期后市场迅速回温，价格持续向上。

DDR4 表现则较分化，16Gb(2Gx8) 几乎持平，仅微涨 0.26% 至 78.1 美元，8Gb(1Gx8) 上涨 6.8% 至 33 美元。相较今年 1 月普遍 20 至 30% 涨幅，DDR4 明显放缓，DDR3 4Gb(512Mx8) 则上涨 7.5% 至 5.70 美元，专家认为此现象多属季节性因素，非市场压力缓解。

与此同时，合约价格预期也大幅上调。TrendForce 上月初将 2026 年第一季传统 DRAM 合约价涨幅由 55% 至 60% 上修至 90% 至 95%，PC DRAM 更预估季增翻倍，创新纪录，NAND 合约价则由 33% 至 38% 上调至 55% 至 60%。

推升价格的主因是 AI 基础建设带动伺服器 DRAM 与 HBM 需求，持续吸纳产能，使传统 DRAM 与消费级 NAND 供应吃紧。

在 NAND 市场，2 月现货涨价仅是长期趋势一环，自去年 10 月以来，1Tb QLC/TLC 晶圆价格已飙涨约三倍，512Gb TLC 更猛涨近五倍，主因是厂商将更多产能转向高利润企业级 SSD，压缩模组厂的晶圆供应，持续推高市场价格。