2028年将迎反转？三星内部警告：记忆体荣景恐只会持续1到2年

全球记忆体晶片市场正处于史上最强的超级牛市，价格持续飙升、产能极度吃紧，对智慧手机、PC 等下游产业带来巨大压力。

韩媒《Chosun Biz》最新报导指出，三星半导体内部已经开始担忧，这波由记忆体晶片供应紧张所推动的荣景恐仅会维持一至两年，之后可能重回下行週期。

三星研判，全球记忆体晶片市场可能在 2028 年前后出现转折。因此，三星一方面积极把握 AI 带来的高利润契机，另一方面着手提升营运效率，避免再次陷入过度投资。

此前，南韩另一记忆体大厂 SK 海力士也表态将在扩产上保持谨慎。

根据业界分析，此波记忆体短缺非短期现象，而是生成式 AI 技术革命引发的长期结构性缺口，主要矛盾集中在高端产品与产能分配。随着 AI 需求爆发，单台 AI 伺服器的 DRAM 与 NAND 需求是传统伺服器的八至十倍，而作为 AI 伺服器核心的 HBM，供需缺口更是高达五至六成，预计今年 HBM 市场规模将年增近六成，在 DRAM 市场的佔比将近 40%，三星与 SK 海力士的 DRAM 销售中，HBM 比重均已逾半。

为此，全球三大记忆体厂商将七成以上新增与可调配产能优先投入 HBM 先进 DRAM，导致低容量 NAND 等消费级产品供应吃紧，主流 DDR4 8Gb 颗粒价格自 2025 年低点 3.2 美元飙升至 15 美元，涨幅达 369%。

随着终端产品成本急升，迫使部分厂商调涨售价或修改配置，全球智慧手机出货量预估将因此年减 12.9%。