SK海力士砸19兆韩元在清州盖新厂 扩大先进封装产能抢攻AI商机
南韩记忆体大厂 SK 海力士周三 (22 日) 宣布，计划投资约 19 兆韩元 (约 130 亿美元) 建造一座半导体新厂，以因应全球对人工智慧 (AI) 记忆体日益增长的需求。
身为辉达 (NVDA-US) 供应商的海力士表示，将在清州兴德区建设一座名为P&T7的先进封装工厂。监管文件显示，该工程预定今年 4 月动工。
新设施将投入先进晶片封装，也就是提升 AI 应用中高频宽记忆体 (HBM) 性能与效率的关键製程。不过文件显示，这项计画的投资金额仍可能根据市场状况与公司战略加以调整。
在全球记忆体产业竞争加剧之际，SK 海力士持续加码支出，以把握 AI 带来的强劲需求。本周稍早，该公司表示已开始量产下一代记忆体模组，专门为辉达次世代 AI 晶片 Vera Rubin 设计。
SK 海力士股价在周二创下历史新高后，周三终场下跌约 0.1%。
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