海力士14年翻90倍！从银行坏帐到AI时代存储霸主

2011 年，负债超过 15 兆韩元的 SK 海力士 (HXSCF-US) 深陷记忆体产业低谷。全球 DRAM 价格大跌，加上承接前身现代电子与 LG 半导体合併后留下的债务，公司成为韩国银行业的不良资产。当时韩国多家大型财阀对这项资产避之唯恐不及，认为半导体产业週期波动剧烈且资本支出庞大，恐怕是一个无底洞。

就在市场普遍看空之际，SK 集团选择逆势出手。2012 年 2 月 14 日，SK 集团以取得 21.05% 股权的方式正式接手海力士。据资料显示，SK 集团当时透过增发新股方式注资，使资金直接流入公司而非债权银行。外界回忆，SK 集团会长崔泰源当时提出资讯会成为下一桶石油的观点，成为其押注记忆体产业的重要依据。

海力士当时的困境可追溯至 1997 年亚洲金融风暴后的韩国产业整併政策。1999 年完成现代电子与 LG 半导体整合后，2000 年网路泡沫破裂，DRAM 价格暴跌约 75%，导致公司背负沉重债务压力。2002 年至 2007 年间，公司虽数度转亏为盈，但每次刚回稳便再遭半导体景气循环冲击，2008 年金融危机更进一步恶化营运。

接手后，崔泰源改变过去由银行主导的保守经营模式，宣布未来 10 年投入 46 兆韩元建设 3 座晶圆厂与扩大技术研发。就在 SK 完成交易两週后，日本 DRAM 大厂尔必达宣布破产保护，使全球 DRAM 供给收缩并推升价格，海力士也于当年重返获利。

真正改变海力士命运的关键则是高频宽记忆体 (HBM)。

2013 年 12 月，海力士率先发表全球首款 HBM 产品。相较传统 DRAM 晶片採水平排列，HBM 採用垂直堆叠设计，大幅缩短资料传输距离，同时提高频宽与效率。HBM 技术最早源自超微 (AMD-US)2007 年启动的专案，当时包括三星电子与其他业者对该市场前景并不看好，海力士则选择投入合作。

然而，海力士率先开发 HBM 后并未立即迎来成果。2016 年三星电子抢先量产 HBM2 产品，随后辉达 (NVDA-US) 推出专为 AI 计算设计的 Tesla P100 GPU，採用三星 HBM2 方案。市场竞争失利使海力士一度面临巨大压力，当时 HBM 全球需求规模甚至不到整体 DRAM 市场的 1%，营收无法覆盖研发成本。

即使如此，海力士仍选择持续投入 HBM 技术。2019 年，海力士率先推出 HBM2E 产品，效能较前代大幅提升，重新夺回技术优势。此后，公司持续加码 MR-MUF 封装技术研发，藉由特殊液态环氧树脂改善高堆叠晶片的散热与良率问题。

市场人士指出，MR-MUF 后来成为 HBM3 与 HBM3E 量产的重要关键。由于相关材料主要依赖日本供应商，海力士提前建立长期合作优势，也为后续竞争建立技术护城河。

2022 年 11 月 30 日，OpenAI 推出 ChatGPT，AI 产业进入爆发阶段。大型语言模型对记忆体容量与频宽需求急速攀升，使 HBM 需求出现爆炸式成长。

以 ChatGPT 大型模型为例，单纯模型权重储存容量即达约 350GB，实际运行总记忆体需求更达权重容量的 3 至 5 倍。当时辉达 AI 加速器 H100 每颗需搭配 6 至 8 组 HBM3 堆叠，而海力士成为全球唯一能稳定量产 HBM3 的供应商。

AI 浪潮也迅速反映于财务表现。2025 年第一季，海力士 HBM 全球市占率约达 70%。全年营业利益达 47.21 兆韩元，首度超越三星电子全公司 43.53 兆韩元的水準。值得注意的是，三星电子业务涵盖智慧手机、家电、显示器与晶圆代工等多项领域，而海力士则主要聚焦记忆体产品。

市场预估，2026 年海力士年度获利有望突破人民币 1 兆元，公司市值亦逼近 1 兆美元。若以 2012 年 SK 接手时约 13 兆韩元市值计算，14 年间增幅约达 90 倍。

从一度被视为无人接手的烫手山芋，到成为 AI 时代核心受惠者，SK 海力士的崛起不仅是一家企业翻身故事，也凸显高频宽记忆体在 AI 基础建设中的战略地位，以及技术押注对产业格局的长期影响。