高塔半导体扩充日本硅光子产能、将获补助 ADR 飙
因应 AI 资料中心需求扩大，以色列晶圆代工业者高塔半导体（Tower Semiconductor）将扩充日本硅光子（SiPho）、硅锗（SiGe）产能，将盖新厂，且将获得日本政府补助。高塔半导体 ADR 闻讯狂飙。
高塔半导体ADR 14日飙涨11.24%，收255.49美元，今年迄今股价累计狂飙117.7%。
高塔半导体14日公布获日本政府援助的策略性投资计画，为了因应AI资料中心需求扩大，将在日本富山县鱼津市及新泻县妙高市扩充12吋硅光子、硅锗以及先进封装相关的研发及产能，总投资额规模预估将超过6,000亿日圆，日本政府最高将补助约1,600亿日圆。
高塔半导体指出，预计把位于新泻县妙高市的新井工厂（原Fab 6）转型为12吋硅光子及先进封装平台，并将最大限度活用富山县鱼津市Fab 7的12吋产能。高塔半导体2027年第四季确立量产，扩大为日本及全球客户提供迅速且高可靠度的供货。
高塔半导体并指出，计画在Fab 7附近兴建12吋新厂，新厂可大幅扩充高塔半导体的硅光子及硅锗产能，以期满足由AI、资料中心以及次世代光互连技术所带动的强劲需求。
日本经济产业省指出，高塔半导体在美国、义大利也拥有生产据点，目前在美国及以色列挂牌上市。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：高塔半导体）
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