难怪魏哲家羡慕！SK 海力士第二季营收获利再创新高，净利率达惊人 118%

韩国记忆体大厂 SK 海力士（SK Hynix）公布 2026 年第二季财务报告。受惠于全球人工智慧（AI）需求持续强劲，该公司单季营收与获利双双打破历史纪录，上半年累计营收更首度突破 100 兆韩圜大关。不过，儘管业绩表现惊人，其实际数据仍略低于华尔街分析师的预期。

根据财报数据，SK 海力士 2026 财年第二季营收达 79.3187 兆韩圜，较 2025 年同期暴增 257%，较上一季也成长了 51%。营业利益高达 60.5426 兆韩圜，年增率逼近 557%，季增 61%。单季净利达到 93.9226 兆韩圜，年增幅高达 1,242%。第二季的营业利益率为 76%，净利率达 118%。儘管成长幅度惊人，但原本市场分析师预测，营收可达 84 兆韩圜、营业利益达 64 兆韩圜，SK 海力士的实际开出成绩略逊于此高标準预期。

优异的获利表现大幅改善了公司的财务体质。截至第二季末，SK 海力士的现金及现金等价物较上季增加 33.6 兆韩圜，总额达 88 兆韩圜；同时借款减少 0.7 兆韩圜，降至 18.6 兆韩圜，实现了高达 69.4 兆韩圜的净现金部位，展现强大的现金创造能力。

SK 海力士指出，DRAM 和 NAND Flash 快闪记忆体价格延续了上一季的涨势，均达到大幅提升。公司业绩的爆发性成长主要归功于高附加价值产品的销售扩大，包含高频宽记忆体（HBM）、针对 AI 伺服器的 DRAM 以及企业级固态硬碟（eSSD）。随着 AI 加速向代理式人工智慧（Agentic AI）演进并在各类服务中普及，记忆体需求基础进一步扩大，形成以 AI 为导向的记忆体与通用记忆体需求同步成长的结构性变化。科技大厂持续扩大 AI 基础设施投资，进一步推升了记忆体的追加需求。

在技术发展方面，SK 海力士持续巩固其在 HBM 领域的领导地位宣布，满足客户严苛速度要求且具备业界最高能源效率与成本优势的 HBM4 已于第二季量产出货，并计划于下半年进一步扩大生产。此外，採用兼具技术成熟度与量产稳定性最优製程的 HBM4E 样品，也已于上半年顺利交付。

其他产品线方面，採用第六代 10 奈米级（1c）製程的 SOCAMM2 产品已正式供货，并在第二季达成销售大幅成长。在 NAND 快闪记忆体领域，321 层堆叠产品目前已成为整体产量中占比最高的产品，公司目标在 2026 年年底，将其在韩国本土的产能占比提升至约 50%。

面对强劲且持续超过供给的市场需求，SK 海力士正积极确保中长期的供应稳定性。目前，公司已与包括核心客户在内的十余家客户完成了长期供应协议（LTA）的讨论，并持续与业内主要客户展开洽谈。值得注意的是，SK 海力士的重要客户包含了美国科技巨头辉达（Nvidia），双方近期的合作伙伴关係更进一步扩展，签署了价值超过 5,000 亿美元的多年期合约。

为了及时满足客户需求，SK 海力士正提前推动韩国清州 M15X 工厂的量产进程，同时也为 2027 年初在韩国龙仁半导体集群首座工厂无尘室启用后快速扩产展开相应投资。针对先进封装工厂 P&T7、NAND 快闪记忆体生产基地 M17 等新建项目，公司也将依据客户需求与投资效率分阶段实施。展望未来，SK 海力士强调，在积极掌握中长期成长机会的同时，将坚持设备投资原则，以实现产能扩张与财务稳健的协同发展。