记忆体涨价潮恐延续至2028年！TrendForce估HBM明年营收破2000亿美元

全球记忆体市场供需失衡情况可能持续扩大，价格上涨周期也有望比市场预期更长。TrendForce专家指出，伺服器需求强劲，加上产能扩张受限，DRAM价格可能一路上涨至2028年上半年；高频宽记忆体（HBM）则受惠于需求成长与产品升级，预估2027年产业营收将突破2,000亿美元。

根据TrendForce于高盛10月27日举办的记忆体产业专家线上研讨会中提出的预测，2027年HBM混合平均售价（ASP）将年增122%，达到每Gb 3.7美元，带动产业营收年增逾230%。

同时，记忆体供给短期内难以有效增加，洁净室空间不足及半导体设备交货期过长，将持续限制产能扩张。

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DRAM涨价周期延长 HBM4占明年产业营收近六成

TrendForce预期，未来数季伺服器需求将持续支撑DRAM价格，即使消费性市场需求疲弱，仍难以抵销供给受限带来的涨价压力，DRAM价格上行趋势可能延续至2028年上半年。

长期供货协议（LTA）预计涵盖2027年DRAM交易量的60%至70%，可能使整体价格涨幅趋于温和。不过，超出协议约定数量的额外需求，仍可能透过协商以更高价格成交，因此市场整体定价仍偏向上行。

HBM方面，TrendForce预估，2027年混合平均售价将年增122%，达每Gb 3.7美元，带动产业营收年增逾230%，突破2,000亿美元。

不同产品之间的价格差距也将扩大，HBM4高阶产品价格可能超过每Gb 5美元，较低阶产品则接近3美元。

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在产品规格方面，8层堆叠HBM4由于单位记忆体基础晶片成本较高，预计每位元价格将较12层堆叠产品高出5%至10%；下一代HBM4E的定价则可能大幅高于HBM4。

高盛表示，相关预测与该行看法大致一致，目前预估主要供应商2027年HBM平均售价将年增100%至160%。

TrendForce另指出，HBM4受惠于较高的价格溢价，预计将占2027年HBM产业营收近60%。

洁净室与设备交期成扩产瓶颈 2028年前供给难显着增加

儘管记忆体大厂积极规划资本支出，TrendForce认为，洁净室空间不足与半导体设备交货期过长，将限制产能扩张，使2028年前难以出现显着的DRAM有效供给增量。

TrendForce预估，南韩两家主要记忆体厂商2027年各自每月可增加8万至10万片晶圆产能。不过，三星电子(005930KS) 新增产能预计大多用于HBM生产，传统DRAM的位元供给成长则主要仰赖製程升级。

设备供应状况预计自2027年下半年起逐步改善，但新晶圆厂要到2028年才会对整体供给产生实质贡献。此外，记忆体厂商也可能根据市场需求前景，主动调整扩产速度。

在需求端，Google(GOOGL-US) 正成为HBM市场的重要成长动能。随着Google持续提高张量处理器（TPU）在资料中心的部署比例，TrendForce预期，2027年HBM3E的位元需求仍将获得支撑，显示市场需求不会完全集中于HBM4及HBM4E等新一代产品。

在个股方面，高盛重申对三星电子普通股及优先股的买入评级，12个月目标价分别为50万韩元及38万韩元，估值採用2026至2027年预期企业价值对EBITDA倍数的分类加总法（SOTP）。

高盛也维持SK海力士(000660KS) 买入评级，目标价为350万韩元，依据2026至2027年平均预期本益比（P/E）9倍进行估值。