华邦电陈沛铭预警：明年记忆体缺货更吃紧，启动高雄新厂扩建

半导体市场在人工智慧 （AI） 与高速运算应用的强力拉动下，迎接新一波爆发期。记忆体大厂华邦电总经理陈沛铭在法说会上指出，受惠于产品涨价与市场需求强劲，华邦电各产品线营运表现亮眼。然而，陈沛铭也对未来市场供需释出强烈预警。他明确指出，2027 年记忆体市场的缺货与吃紧程度，恐怕将比 2026 年还要更加严重。

根据华邦电最新一季的营运数据，在 CMS（低功率DRAM） 部分，受惠于产品价格上涨，整体营收大增 78%。虽然为了优先保障特定策略客户的供应，华邦电主动减少了部分出货，使出货位元数减少了约 10%，但因平均售价大涨超过 100%，带动了最终亮眼的营收成果。

在 Flash 部分，营收也大增 65%，出货位元数更是暴增 156%，这主要是受到 NOR Flash 出货大幅成长所带动。从产品应用板块来看，通讯应用季增长达 82%，在华邦电整体的营收佔比拉高了 2%。这项增长涵盖範围极广，包括家用 Wi-Fi 设备，以及伺服器上的交换机应用等。另外，电脑应用季增长同样惊人，接近 90%。

不过，其背后最大的推手即是 AI伺服器的爆发。AI 伺服器对高密度 NOR Flash 的需求极其庞大，单台新架构伺服器所需要的 NOR Flash 数量就高达 500 到 600 颗，且多为 512Mb、1Gb 甚至 2Gb 等高容量、高单价产品。

SLC NAND 方面华邦电在市场上持续深耕，并加速向 24 奈米製程转进，预期 2026 年底将有更多产出，未来也将持续开发更先进的製程技术。目前华邦电依然稳居全球 NOR Flash 领先地位，将持续维持此一关键基础收入。陈沛铭预期，2026 年第三季虽然平均售价的涨幅不会像前一季暴涨一倍那样夸张，但价格依然维持往上的趋势，整体营运状况与出货动能将延续第二季以来的强劲态势。

针对中长期市场展望，陈沛铭直言，2027 年会比 2026 年还要缺。这项判断的核心关键在于 产能真空期。陈沛铭解释，在现有的工厂设备与产能装设完毕后，华邦电未来将有长达两年的时间面临 没有额外产能 的限制。在这段产能真空期中，华邦电只能不断透过先进製程转进来改善效率并微幅增加产出。

由于预期产能将极度受限，市场上已经出现恐慌性的备货心态。陈沛铭透露，许多客户非常焦虑，不断催促华邦电，除了现有的 2028 年合约外，甚至要求提前签订 2029 年以后、甚至是包含 2030 年的长期供货协议（LTA）。除了 AI 应用不可或缺的高频宽记忆体（HBM） 外，DDR5、DDR6 等传统防守範围的需求也同样极度热烈，客户为了确保产能甚至不惜支付更高价格。

为了因应中长期供不应求的局面，华邦电正全力展开高雄厂的产能布局。在现有产能扩充方面，高雄厂目前产能为 15K，预计在 2026 年底将产能提升至 24K。届时高雄厂将有四分之三的产出，并将大量导入 16 奈米製程，全面取代旧有的 2D 与 20 奈米、25 奈米製程，这将为华邦电带来更大的爆发性成长。

而启动全新MB建厂计画方面，陈沛铭指华邦电董事会已正式通过高雄厂全新的MB建厂计画。MB 新厂预计于 2027 年 1 月正式动工，并在 2029 年 1 月开始装设机台，预计于 2029 年中开始一边装机一边开放产能，并于 2029 年底开始量产，产出将主要反映在2030 年。

MB 新厂的洁净室面积约为 30K 平方公尺，是现有高雄厂（15.5K 平方公尺）的两倍大，机台装满后的总产能可达 50K 至 60K。製程方面，该厂将引进下世代的14 奈米以及未来的 12 奈米製程。不过，陈沛铭指出，预计扩产的金额庞大，现阶段资本支出金额还没有确定。

至于 EUV 设备规划方面，由于 EUV 设备交期长达三年到三年半，而一般机台交期仅需 12到 14 个月，因此 MB 厂将分为两阶段进行。第一阶段开发生产不需 EUV 的下世代製程，第二阶段才会正式装设 EUV 设备，为未来的 12 奈米製程做足準备。

除了传统的记忆体布局，华邦电在硅电容 的方面，随着 AI 技术发展，如 NVIDIA 新一代 Robin/Blackwell 晶片架构对电源管理提出了更精确的要求，其设计将电压先拉高至 DC800V，再逐步降压至 1.2V 或 0.9V。在如此微小的电压与高速运行下，传统的 MLCC 在尺寸、厚度及温度稳定性上已无法满足需求，因而诞生了对微型 Cube 的庞大需求。

此外，包含 CoWoS 先进封装及基板上，也需要埋入额外的电容来维持讯号品质。陈沛铭看好 Cube 技术的独特价值与前景，并设定目标在 2027 年时，让硅电容在内的Cube相 关业务营收占比达到整体营收的 5% 至 10%，这将成为华邦电在 2027 年应对记忆体大缺货时，最为关键的技术护城河与全新成长动能。