大摩预警成熟DRAM续涨：第三季DDR4再涨50% SLC NAND连两季季涨50%
摩根士丹利(下称大摩)週三(19日)最新报告示警，DDR4与SLC NAND等成熟记忆体晶片供给紧绷将延续至2026年下半年，价格涨势不仅未歇，还将加速。
大摩预估，DDR4等成熟DRAM今年第三季将季增约50%、第四季再涨10%，SLC NAND涨势更猛，第三、四季每季皆看涨50%，NOR Flash第四季起也受工控、车用、边缘AI与AI伺服器需求托底。
涨价根源在产能挪位：三星、SK海力士、美光等将晶圆大幅转向高毛利HBM、DDR5与企业级SSD，传统DDR4、SLC NAND分额遭压缩。
HBM更像是产能黑洞，主要受垂直堆叠与硅穿孔(TSV)限制，每产1份HBM约耗3份传统DRAM晶圆。根据瑞银(UBS)估算，2027年全球HBM需求达615亿Gb，辉达单家吃掉251亿Gb、佔逾40%，原厂只能继续倾斜产线。
此外，连新世代DDR5也没降温。根据美银数据显示，24GB DDR5-5600/6400现货价8月单月再涨8%，年涨幅飙至483%；该颗粒从2025年中约8美元冲高到本月逼近47美元。
业内人士认为，这波不是景气循环式缺货，而是AI算力重写记忆体分配逻辑，高价HBM吸走产能，利基型成熟件反成稀缺标的，工业、网通、存量伺服器业者首当其冲，短期缓解无望，供需再平衡须待原厂回头补成熟线或终端转规格，今年底难见拐点。
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