辉达AI伺服器明年恐涨逾15%！记忆体成关键成本：DRAM飙64%、HBM溢价超300%

随着记忆体晶片成本飙升，辉达(NVDA-US) 部分大型客户已获告知，称搭载辉达人工智慧（AI）晶片的伺服器价格在许多情况下将上涨超过15%。

根据《彭博》报导，知情人士透露，这波涨价预计适用于明年初出货的系统，包括搭载辉达最新Vera Rubin，以及Grace Blackwell晶片的伺服器。他们表示，实际涨幅将取决于辉达晶片的世代以及记忆体配置。

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专家分析指出，《彭博》之所以点名Vera Rubin以及Grace Blackwell是因为两者共同反映出AI运算对记忆体与储存资源的需求持续攀升。

Grace Blackwell平台已展现对HBM与DDR5等高效能记忆体的高度需求。随着相关元件成本增加，辉达先前已提高H200、B200晶片及模组价格，伺服器製造商也同步调整报价，涨幅约达10%至15%。

至于下一代Vera Rubin平台，其记忆体配置预计将更加积极。三星电子(005930KS) 已宣布，旗下企业级SSD PM1763将针对辉达Vera Rubin平台提供支援，其连续读写速度较前一代产品提升一倍。

更值得注意的是，记忆体配置正逐渐成为AI伺服器价格的重要变数。即使採用相同世代的AI晶片，不同记忆体容量与配置方案也可能造成显着的成本差异。

知情人士表示，近期负责为微软(MSFT-US) 、Alphabet(GOOGL-US) 旗下Google及甲骨文(ORCL-US) 等大型资料中心营运商代工伺服器的企业，已陆续通知客户即将调涨价格。辉达代表则未回应评论要求。

在AI基础建设需求大幅成长之际，连产业中最具主导地位的辉达都无法维持原有价格或自行吸收不断增加的成本，凸显记忆体晶片製造商三星电子、SK海力士(000660KS) 及美光科技(MU-US) 的议价能力之强大。

市场数据显示，2026年第2季DRAM合约价格季增64%，NAND合约价格同期也上涨54%；此外，伺服器DDR5第3季价格仍面临进一步上涨压力。

HBM则因为是AI伺服器的重要记忆体配置，价格溢价更为明显。相关市场资料显示，HBM产品溢价已超过300%，而单台AI伺服器所使用的DRAM容量约为传统伺服器的8至10倍。

高盛(GS-US) 更是预估，2026年全年DRAM市场价格可能上涨250%至280%。若这项预测成真，记忆体价格上行将不再只是单一零组件的短期波动，而可能成为AI资料中心建置成本的重要变数。

包括苹果(AAPL-US) 与高通(QCOM-US) 在内的主要科技企业近期也表示，由于晶片供应短缺，他们被迫提高产品价格。

辉达的AI加速处理器是用于建立及执行AI软体的电脑核心元件，其效能取决于搭配多少动态随机存取记忆体（DRAM）。

三星电子、SK海力士及美光这3家公司掌握全球大部分DRAM产能。儘管上述三家公司持续提高产量，但目前仍无法跟上需求快速成长的速度，推动这类标準化元件的价格大幅上涨。

辉达是半导体产业中获利能力最强的企业之一。由于代工厂台积电(2330-TW) 的晶片供应仍无法满足失控般的市场需求，辉达得以将单颗晶片售价拉高至数万美元。

辉达的毛利率，也就是扣除生产成本后的销售收入占比，目前达到75%。

辉达的AI加速器最初源自售价数百美元的PC游戏晶片，但随着需求持续强劲，加上目前市场上仍缺乏足以取代辉达产品的可行方案，其价格也不断攀升。

根据《Tom"s Hardware》本月稍早报导，辉达也已提高面向游戏市场的PC显示卡价格。

至于辉达客户将如何因应此次最新涨价，以及此举是否会为竞争对手创造切入机会，很可能取决于这些客户能否自行取得足够的记忆体供应。

亚马逊(AMZN-US) 、微软、Google及Meta(META-US) 等主要客户目前都在积极推动自研晶片计画，但资料中心建置仍依赖向辉达採购产品。

报导指出，这些企业能否进一步降低对辉达的依赖，也将取决于它们能否从三星电子、SK海力士及美光取得足够的记忆体供应。

伺服器价格上涨也可能进一步增加业界大规模建置AI资料中心的複杂度。目前许多相关计画已受到专案延误、劳动力短缺、资本市场紧缩，以及地方社区反对开发等因素影响。

辉达预计下週公布会计年度第二季财报，预计将成为科技产业及投资人的重要观察指标。