SK海力士扩大在美布局 40亿美元晶圆厂预计2029年量产

南韩半导体大厂SK海力士(SKHY-US)周四(27日)宣布，将于2029年第三季在美国印第安那州新厂开始量产次世代高频宽记忆体HBM4E晶片。与此同时，SK海力士执行长郭鲁正(Kwak Noh-Jung)警告，目前的记忆体短缺现象预计将持续到2030年。

这项耗资超过40亿美元的晶圆厂建置计画，座落于普渡研究园区(Purdue Research Park)，旨在扩大SK海力士在美国的布局，以因对AI投资热潮所带来的庞大高频宽记忆体需求。厂址能让SK海力士更贴近辉达(NVDA-US)、微软(MSFT-US)及Alphabet(GOOGL-US)等主要客户。

对于这项投资，执行长郭鲁正指出：美国是AI创新的震央，汇集了最顶尖的客户、顶尖的研发能力与合作伙伴。印第安那晶圆厂将成为交付首批『美国製造』HBM产品的门户。

根据Counterpoint Research数据，在2026年第一季，SK海力士在全球HBM市场以58%的营收市占率居冠，远超主要竞争对手三星电子与美光科技(MU-US)的各21%。主要客户辉达预测下一财年营收将大幅成长70%，这进一步印证了市场对AI晶片的持续需求，也支持了郭鲁正认为记忆体上升周期仍有发展空间的观点。

这项庞大的建厂计画也获得美国政府的强力资助。美国政府依据《晶片法案》(CHIPS Act)提供4.58亿美元的补助金，以及高达5亿美元的贷款，该项资金已于2024年12月敲定。

在市场评估方面，投行Needham分析师N. Quinn Bolton将SK海力士的目标价从200美元调高至220美元，并维持买进评等。