英特尔14A製程迎重大进展！缺陷密度创22奈米后最佳、客户开始抢问产能

英特尔(INTC-US) 下一代14A（1.4奈米级）製程传出正面进展，缺陷密度下降速度不仅优于公司原先设定的目标曲线，更创下22奈米製程以来的最佳表现。英特尔财务长David Zinsner在德意志银行2026年科技大会上表示，14A目前的製程表现让公司自22奈米以来从未见过这样的表现。

按照目前规划，14A预计在2027年下半年进入风险量产，并于2028年迈入大规模量产。

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距离正式投产约还有两年，但客户端态度已开始出现变化，英特尔内部设计团队已着手以14A开发产品，外部晶圆代工客户则从过去评估技术数据，进一步询问未来可取得的产能及供应安排。

缺陷密度改善速度，媲美英特尔22奈米时期

Zinsner指出，14A目前的缺陷密度表现优于英特尔原先设定的目标，而且缺陷下降速度也是公司过去各製程节点中最快的一次。他并以22奈米作为比较基準，认为这是英特尔推出过表现最出色的製程之一。

22奈米是英特尔首个採用FinFET架构的製程节点，当年推出时具备领先优势。2012年上市的Ivy Bridge处理器即採用22奈米製程，该製程持续支撑英特尔CPU产品线至2016年，之后也继续应用于其他产品。

不过，Zinsner的比较主要是针对製程开发进度，而非直接比较两代製程的绝对缺陷密度。他所指的是14A距离量产约两年时的缺陷改善轨迹，与22奈米在相近开发阶段的表现相比。

此外，随着过去16年间晶圆检测设备持续进步，业界对缺陷的检测与计量方式也有所改变，而缺陷密度本身亦不能直接等同于最终良率。

面对高难度新技术，14A改善进度受瞩目

14A本身的製程複杂度，也让目前的缺陷改善进度更受关注。该製程将採用第二代环绕闸极（GAA）RibbonFET电晶体、第二代背面供电PowerDirect，以及High-NA EUV极紫外微影技术，整体技术难度明显高于当年的22奈米。

在这样的技术组合下，14A仍能快速降低缺陷密度，对近年製程发展一度面临挑战的英特尔而言格外重要。

过去英特尔14奈米曾因良率问题延后一年，初代10奈米也遭遇重大挑战，20A则最终取消；18A进入量产时缺陷水準仍偏高。至于Intel 4与Intel 3，英特尔过去并未公开太多製程进展细节。

客户态度转变：从评估数据到询问能拿多少产能

除了製程数据改善，英特尔更关注的是客户对14A的态度正在发生变化。

Zinsner透露，英特尔内部设计团队已经开始在14A上开发产品。他形容这些内部客户大概是所有人里最挑剔的，因此他们愿意选择14A进行产品设计，对英特尔而言也是一项重要的信心提振。

外部晶圆代工客户的询问方向也开始改变。Zinsner表示，执行长陈立武与团队目前每週都会与客户会面，而客户关注的问题已经从单纯看数据，转向询问我能拿到多少产能以及供应节奏要怎么安排。

Zinsner也表示，英特尔目前对14A的外部客户业务已经建立起更明确的信心。

距离14A大规模量产仍约有两年时间，英特尔则希望这一新製程最终能重现22奈米的长寿命，成为公司重要且可长期使用的製程节点。