三星4奈米逾半产能押注HBM4基础裸片 月产1.5万片全力冲刺

外媒最新报导指出，受全球AI算力驱动、HBM需求持续远超供给影响，三星电子已将旗下4奈米製程超过50%产能分配给HBM相关记忆体晶片的核心基础裸片生产，这部分产能目前已处于满载运转状态，全力支撑HBM4产品的产能爬坡。

《Wccftech》与《ZDNet Korea》援引三星电子内外部消息人士报导，不同于採用客製化记忆体工艺製造的HBM DRAM堆叠模组，HBM底部的基础裸片採用的是逻辑晶片製造工艺，承担与上层DRAM堆叠互联、集成记忆体控制器与物理层介面的核心功能，直接决定HBM整体资料传输效率与系统集成度。

截至上月，三星4奈米晶片产能中已有50%投入HBM4基础裸片生产，目前该占比已进一步提升至50%至60%区间，对应月产能规模达1.5万片晶圆。相关生产全部集中在三星平泽第二园区与第三园区的S5、S6两条晶圆产线，两座工厂的4奈米製程总产能为每月3万片晶圆，刚好实现一半产能定向供给HBM4基础裸片的配置。

三星凭藉自身同时涵盖DRAM设计製造与先进逻辑代工的全链条能力，正大规模推进从4奈米到7奈米多工艺节点的HBM相关产品生产，凭藉独有的记忆体与逻辑製造协同优势，在HBM赛道形成差异化竞争力。

三星同时确定今年Q3进一步扩大HBM4产能的目标。此前行业数据显示，今年Q2三星HBM全球市占率已攀升至38%，较一年前的15%实现翻倍增长，产能持续倾斜将进一步巩固其在HBM市场的上升势头。

产业链长期技术布局同步推进。继8月相关报导披露后，外媒进一步确认，三星正评估将2奈米製程应用于HBM基础裸片的技术路线，拟改造位于器兴工业区的一条现有产线，专门生产2奈米工艺的HBM基础裸片，这部分下一代产品将定向供应给辉达，为其后续新一代AI加速晶片提供配套支持。

据悉，业界採用逻辑代工工艺生产HBM基础裸片的趋势，从HBM3与HBM3E时代就已开启，更高的资料传输速率与引脚速度要求，倒逼基础裸片必须使用更先进的逻辑工艺才能满足性能指标。

目前，全球主要记忆体厂商选择了完全不同的技术路线：三星坚持自主研发基础裸片技术并依託自有晶圆厂生产，SK海力士选择将相关生产外包给台积电，美光则採用专属客製工艺推进研发。