美光传斥资加码新加坡！锁定NAND产能缓解全球记忆体荒

三名知情人士透露，美国记忆体晶片大厂美光科技 (MU-US) 即将宣布在新加坡投资新的记忆体晶片製造产能，藉此扩大产线规模，以因应全球日益严峻的记忆体短缺问题。

根据《路透》报导，知情人士指出，美光最快将于週二（27 日）对外公布这项投资计画，其中一人透露，投资重点将锁定 NAND 快闪记忆体。

这项投资宣布之际，正值消费性电子、人工智慧（AI）服务供应商等产业，因竞相建置 AI 基础设施而面临各类记忆体晶片供不应求的关键时刻。

美光目前在新加坡拥有规模庞大的製造基地，约有 98% 的快闪记忆体产品在当地生产，是其全球最重要的记忆体製造重镇之一。

此外，美光也正于新加坡兴建一座投资金额高达 70 亿美元的高频宽记忆体（HBM）先进封装厂，该设施主要用于 AI 晶片相关应用，预计将于 2027 年正式投产。

不仅美光积极扩产，南韩两大记忆体製造商三星电子与 SK 海力士近期也相继宣布新增产线，并提前启动生产时程，显示全球记忆体产业正全面进入扩产阶段。

然而，分析师指出，即使主要厂商同步扩充产能，全球记忆体供应吃紧的状况仍可能延续至 2027 年下半年。

上週，美光也透露，正与力积电 (6770-TW) 洽谈，以 18 亿美元现金收购其一座晶圆厂，藉此提升 DRAM 记忆体晶圆的产出能力。

SK 海力士则于本月向《路透》表示，计画将一座新工厂的启用时程提前三个月，并于今年 2 月开始营运另一座新厂。