〈南茂法说〉Q1记忆体封测再涨价 董座：新产能已签三年保障合约

封测大厂南茂 (8150-TW) 今 (24) 日举行法说会，董事长郑世杰表示，今年整体营运动能相对稳健，全年展望优于 2025 年，尤其看好记忆体领域，第一季已再度调涨记忆体封测报价，并增加相关资本支出，强调新增加的资本支出都已与客户签订三年的合约，以保障公司。

在产品别表现上，郑世杰指出，记忆体客户库存回补需求稳健，动能优于驱动 IC，其中 DRAM 动能优于 Flash，成长力道明显。受惠于产能吃紧，公司第一季再度调涨记忆体封测报价，并强调后续仍将持续反映物料成本。

郑世杰透露，部分客户为确保产能，甚至愿意以 2 倍价格争取产能，但因需求规模较小，公司已无产能支援。为维持价格涨势，公司也要求部分客户自行提供材料，或指定用料，以降低成本波动风险。

他指出，目前记忆体主要产能仍以既有客户为主，虽然有新客户加入，但公司将审慎因应；新客户多集中在逻辑产品，显示南茂在记忆体与驱动 IC 之外，也逐步拓展逻辑产品版图。

驱动 IC 方面，由于终端消费需求不振，整体动能相对疲弱。不过，车用面板与穿戴式产品动能仍相对稳健。混合讯号产品则受惠于产品多元化效益，营运动能持续成长，成为支撑公司另一成长动能来源。

因应客户需求与记忆体产能去瓶颈，南茂今年资本支出将明显增加，占全年营收比重约 22% 至 27%，并预计参与台商返台投资计画，以相关资金支应资本支出，降低整体资金成本。

南茂今年资本支出配置以记忆体测试为主，占比约 50%；封装约 20%；驱动 IC 与金凸块约 25%；混合讯号约 10%。

新品布局方面，南茂取得 MiniLED 与日本边缘装置 IC 新客户订单，该客户主要从事高龄化相关 IC 产品，毛利表现优于一般逻辑产品，且成长速度快，预期将在后续有显着贡献。

此外，公司也加码投资覆晶封装产能，布局高频 DDR5 与 DDR6 产品，以因应未来 Edge AI 应用对高速记忆体的需求，为后续成长提前卡位。