黄仁勋豪言：DRAM工厂儘管扩产 辉达全部买单！

辉达 (NVDA-US) 执行长黄仁勋在摩根士丹利科技大会上向全球记忆体产业释出强烈讯号，直言 DRAM 厂商可放心扩产，盖多少产能，辉达就用多少，显示 AI 浪潮带动的记忆体需求仍将持续爆发。

在不少市场人士将记忆体、晶圆、先进封装与电力等资源限制视为 AI 产业发展瓶颈之际，黄仁勋却提出不同观点。

他表示，晶片供应紧张反而是非常好的消息，因为在资源有限的情况下，企业在採购 AI 基础设施时会更加谨慎，往往直接选择性能最强的解决方案。

黄仁勋指出，在资金与规模优势下，辉达能在整个供应链提前锁定关键资源，从晶圆到记忆体再到封装产能都能提前布局，因此更能在供应受限的环境中受益。

他甚至向 DRAM 厂商喊话：尽管去建记忆体厂，你们扩增多少产能，辉达就会用掉多少。

黄仁勋进一步提到，他其实很喜欢限制，因为当资料中心的土地、电力与空间都受到约束时，企业就必须选择能提供最高运算效率的 AI 系统，而辉达目前是全球少数能替客户从零打造整座AI 工厂的公司，从硬体到软体提供完整解决方案。

目前辉达已提前锁定大规模 AI 基础设施所需的关键零组件，包括记忆体、晶圆与 CoWoS 先进封装产能。即使 DRAM 价格上涨，公司也不打算缩减备货规模，这也为三星电子、SK 海力士与美光等记忆体厂商提供明确需求前景。

随着 AI 晶片持续升级，记忆体需求也大幅提升。辉达目前 GB300 AI 晶片支援的高频宽记忆体 (HBM) 容量已提升至 288GB，高于上一代 GB200 的 192GB。

即将推出的下一代 AI 平台 Vera Rubin 虽维持 288GB HBM 容量，但将从 HBM3E 升级至 HBM4 规格。HBM4 採用 16 层堆叠设计，相较 HBM3E 的 12 层堆叠製程更加複杂，也意味着需要消耗更多记忆体产能。

外传韩国两大记忆体厂三星电子与 SK 海力士已纳入 Vera Rubin 平台的 HBM4 供应链。由于 HBM 从晶圆製造到封装完成的週期超过六个月，两家公司最快可能在本月启动量产。

在供应结构方面，市场预估 2026 年 SK 海力士将取得辉达超过一半的 HBM 採购量 (包含 HBM3E 与 HBM4) ，而三星则有望拿下 Vera Rubin 平台专用 HBM4 的大部分订单。

产业预测显示，SK 海力士仍将以约 50% 的全球 HBM 位元产能占比维持龙头地位，但较 2025 年的 59% 略有下降；三星则可望将全球市占从 20% 提升至 28%，追赶态势明显。

美国总统川普週一 (9 日) 暗示美国与伊朗的战争可能很快结束后，美股黑翻红，费城半导体指数大涨 295.66 点，或 3.93%，收 7,810.40 点。辉达 (NVDA-US) 扬升 2.72% 至每股 182.65 美元。