大摩看淡 DDR4 点名传统 NAND 为新赢家，旺宏列为首选标的

外资摩根士丹利 近日发布最新研究报告，针对市场对其近期降评 DDR4 的强烈质疑进行全面回应。大摩强调，看淡 DDR4 并不影响其对主流记忆体市场的乐观看法，同时点名传统 NAND 因具备独特的供需动能，将成为记忆体市场的新赢家，并将旺宏列为首选标的。

大摩重申对主流记忆体的建设性看法，指出这波降评仅针对传统记忆体市场，不应过度解读至主流记忆体。随着AI运算瓶颈转向多层记忆体系统，主流 DRAM 将持续受惠。大摩分析师指出，代理型 AI（Agentic AI） 工作执行需要更密集的数据处理，使主流 DRAM 供应进一步收紧。只要 AI 支出维持高档，记忆体仍是限制 AI 发展最大关键因素之一，主流记忆体强势的格局将保持不变。

至于针对 DDR4 的降评，大摩从供需两面提出解释。供给方面，由于近期 DDR4 价格高涨，吸引供应商大举扩充产能或延后产品停产时间，包含华邦电、南亚科、三星与长鑫存储均计划在 2026 至 2027 年间大幅拉升产能。由于 DDR4 市场规模较小，主流 DRAM 的缺货瓶颈在此并不适用。

需求方面，截至 2026 年 2 月，DDR4 8Gb 合约价年增高达 752%。大摩指出，过高的价格已开始反噬智慧型手机与 PC 等消费性终端需求，且较小型的客户已开始抗拒涨价。此外， DDR4 缺乏直接的 AI 关联，无法受惠于 AI 带动的记忆体消耗潮。大摩预期，儘管 DDR4 合约价短期内仍会上涨，但年增率将在 2026 年下半年开始放缓，成为转趋保守的关键讯号。

而与DDR4面临的窘境不同，大摩极度看好传统 NAND 市场，认为其正面临与 DDR4 截然不同的结构性供应短缺。由于全球主要供应商持续减产，大摩预估 MLC NAND 在 2026 年下半年将面临严重的缺货，供不应求幅度可能高达约4 0%。同时，受惠于工业与企业应用对价格的敏感度较低，其需求依然稳健。大摩预测，MLC NAND及 传统 TLC 的价格将从 2026 年第一季到第四季飙升超过 200%。

在个股评估上，大摩顺势将旺宏列为首选，看好其能精準掌握 MLC NAND 的庞大商机。其他台厂方面，南亚科有望受惠于主要记忆体大厂退出 DDR4 市场所带来的供应端上升週期。而力积电则有望受惠于与美光的合作及先进 DRAM 生产机会的长期利多。