花旗上调SK海力士目标价超80% 估记忆体下半年更贵

花旗预期 SK 海力士 (SK Hynix) 将受益于强劲的大宗记忆体平均售价上升趋势，以及 2026 年下半年高频宽记忆体 (HBM) 价格增长优于预期。

因预计 2026 年第四季 HBM 定价将按季增 30%，花旗预估 SK 海力士将受益于 HBM 产品组合效应，以及由 Anthropic 近期更新支撑的强劲记忆体定价。花旗将 SK 海力士目标价自 170 万韩元上调 82%，至 310 万韩元，并维持买入评级。

花旗预期记忆体今年下半年平均售价进一步增长，受惠于 HBM、伺服器 DDR5、SoCAMM2 需求。该行预期 SK 海力士将受益于 HBM 强劲的价格增长，该行预测在 HBM4 产品组合效应及优于预期的 HBM3e 需求带动下，2026 年第四季 HBM 平均售价料按季增 30%。

虽然花旗预期主流伺服器 64GB DDR5 RDIMM 定价将维持高位，但预估 SoCAMM2 将从 2026 年下半年开始获得更广泛採用，进一步推动整体行动 DRAM 定价，以抵销智慧手机需求疲弱的负面影响。

报告指出，由于客户的高阶记忆体採购需求超过供给，该行将 2026 年伺服器 DDR5 DRAM 平均售价年增率预测上调至 329%。在 AI 推论需求下，预测伺服器 DDR5 64GB DIMM 定价将从 2026 年第一季的 873 美元，升至 2026 年第四季的 1586 美元。基于 KV 快取记忆体需求，该行预测 2026 年 SSD 平均售价按年升 267%。

同时，花旗上调了 2026 年全球 DRAM 及 NAND 平均售价预测，料按年增长分别 200% 及 186%。该行预测 2026 年全球 DRAM 平均售价年增率为 200%。该行并预测 2026 年第一、二、三、四季平均售价季增率分别为 64%、37%、13% 及 11%。预测 2026 年综合 NAND 平均售价按年升 186%。按季计算，预测 2026 年第一、二、三、四季平均售价季增率分别为 63%、45%、17% 及 6%。