今年内量产！SK海力士V10 NAND採375层堆叠设计 「钼取代钨」有望助力性能提升

全球 NAND Flash 技术竞赛再掀新高潮，外电最新报导指出，SK 海力士已完成下一代 V10 系列 375 层 3D NAND 闪存生产验证，正推进产线转换，目标 2026 年透过现有工厂升级实现大规模量产，挑战三星电子在超高堆叠技术的领先地位。

韩媒《THE ELEC》10 日报导，SK 海力士原规划 V10 世代採用 400 层架构，但因超高层数堆叠的量产工艺难度过高，最终调整为 375 层设计。此次技术迭代最大亮点在于金属布线层的材料革新，将部分字线 (Word Line) 从传统钨 (W) 换为钼(Mo)。

字线是连接记忆体单位控制栅极的核心线路，负责选择与操作特定行记忆体单位。

随着堆叠层数增加，钨材因线路微缩导致电阻飙升，拖慢信号传输速率，且需额外铺设阻挡层挤占芯片空间。

相比之下，钼在同等尺寸下电阻更低，无需阻挡层即可直接填充，既能提升数据读写速度，又能提高存储密度。

不过，钼前躯体常温下为固态，生产需专用设备高温加热并精準控製物料供给，对製程要求严苛。SK 海力士在评估后选择东京电子 (TEL) 的炉式沉积设备，可一次性处理约 100 片晶圆，较 Lam Research 单片处理方案更具成本优势。

供应链方面，液化空气集团、英特格和默克将供应钼材料，南韩本土厂商 SK Specialty 也正洽谈借用前者供应系统的合作。

数据显示，三星自 2024 年 4 月量产 286 层第九代 NAND 起已导入钼材料，今年採购量预计从 4 吨增至 10 吨，2030 年或达 80 吨。SK 海力士明年起大规模导入钼工艺，初期年採购量也将达 4 吨。随着 3D NAND 向 600 层以上迈进，钼材料有望成为超高堆叠时代的核心关键。