3奈米下良率救星？美商应材推新型沉积与蚀刻设备 助力3D晶圆製程突破
美国应用材料公司週一 (15 日) 发布两款针对先进半导体製造的新系统，旨在解决高深宽比 3D 结构中精密加工的核心难题，进一步推动逻辑晶片与记忆体晶片的製程延伸。
在 AI 算力需求持续扩张的背景下，全球半导体业加速向全环绕栅极 (GAA) 晶体管及高层数 3D NAND 等架构演进。
应材此次推出的 Centris™ Spectral™ SiN ALD 与 Producer™ Selectra™ Mo Etch，分别面向介电薄膜沉积与金属选择性去除两大工艺环节。
应财表示，上述系统已被重量级逻辑与记忆体晶片厂商用于先进製程量产。
新系统的推出直接回应了製造商在器件性能、製程稳定性与良率上面临的瓶颈，对相关设备供应链具有重要的市场信号意义。
应材週一 (15 日) 在美股收涨 3.27% 至每股 585.78 美元，续创历史新高，今年来累计上涨 128%。
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