美光涨逾10%财报前迎利多 分析师看好记忆体荣景再旺数季

《MarketWatch》报导,随着美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 即将公布财报,华尔街分析师对公司的前景变得更加乐观。美光周一大涨 10.8%,至每股 1,087.99 美元。

美光涨逾10%财报前迎利多,分析师看好记忆体荣景再旺数季(图:Shutterstock)

TD Cowen 分析师 Krish Sankar 在周日发布报告,将美光目标价从 660 美元大幅调升至 1,500 美元。同日,RBC Capital Markets 分析师 Srini Pajjuri 也将美光目标价由 525 美元调高至 1,200 美元,意味着仍有约 20% 潜在涨幅。


儘管市场传出辉达 (Nvidia)(NVDA-US) 正调整其 SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module, ⼩型压缩附加记忆体模组)记忆体模组规格要求,但 Sankar 认为,随着 AI 运算规模持续扩大,每部署 1GW AI 运算能力所需的记忆体容量仍将持续增加,这对美光将是一大利多。

他指出,代理型 AI 的发展需要额外配置大量 CPU 机柜,而这些系统同样需要搭配大量记忆体。CPU 需求激增,已让市场相信记忆体价格的强势表现有望延续至明年下半年。

Pajjuri 也持相同看法。他表示,更强劲的价格预测与出货量成长预期,是他上调财务预测的主要原因。

Pajjuri 指出,目前 DRAM 景气循环已进入第 12 个季度。作为比较,2014 年的 DRAM 上升循环持续约 8 至 9 个季度,2018 年的景气循环也约为 8 至 9 个季度。但这一次,他认为受惠于 AI 基础建设投资及代理式 AI 需求推升,景气荣景有机会再延续 5 至 6 个季度。

此外,Pajjuri 认为,高频宽记忆体 (HBM) 将进一步提升美光的获利能力。他表示,HBM 应享有更高的估值倍数。原因在于,随着下一代 AI 晶片开始量产,HBM 产能同步扩张,预计明年 HBM 将占美光 DRAM 营收更大的比重。

他并补充,由于 HBM 并非一般标準化商品,因此较不容易受到记忆体产业景气循环导致的价格下跌影响。

虽然各家记忆体厂正积极扩产以缓解供应吃紧问题,但 Pajjuri 认为,供给成长仍将受到限制。原因在于晶圆厂无尘室空间有限,预估供给量直至明年稍晚以前都不会明显增加。

Sankar 表示,未来投资人仍将密切关注长期供货协议对记忆体市场带来的影响。目前记忆体製造商受惠于供应吃紧与价格上涨,获利能力持续改善。他指出,这也是推升美光本益比与估值的重要因素之一,尤其是 Sandisk(SNDK-US) 最近公布财报后显示,客户愿意签署多年期合约,并接受具吸引力的最低毛利率条件。

Sankar 预期,美光下周公布财报时,也将透露受惠于类似趋势。美光今年 3 月曾宣布,公司已签署首份为期五年的策略客户协议 (SCA)。美光表示,与过去的长期供货协议不同,SCA 包含更明确的多年承诺内容,让公司与客户都能提高未来营运规划的能见度。

但 Sankar 指出,美光目前尚未充分揭露最低毛利率保障、合约取消条款或客户类型与组成,因此市场仍将持续关注,大型云端服务供应商是否愿意提前数年锁定价格并签署长约。

Sankar 认为,目前市场普遍预期美光毛利率到 2030 年将回归约 60% 的正常水準。因此美光管理层只要维持目前的展望,应不难满足投资人的期待。他认为,若公司未来签署的长期供货协议能带来超过 70% 的毛利率,将对股价带来利多。

发布于 2026-06-16 11:11
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