记忆体股暴跌导火线曝！SK海力士传放缓HBM4扩产、辉达Rubin生产预测下修

一篇南韩媒体的产业报导，在全球市场掀起连锁效应，让市场对高频宽记忆体（HBM）供应前景的隐忧浮上檯面，成为引爆记忆体股大幅回档的导火线。

韩媒于週二（23 日）报导指出，SK 海力士正放缓第六代高频宽记忆体（HBM4）的量产扩张步调，并将资源重新挪移至一般型 DRAM 市场。根据《彭博》与《CNBC》引述消息，交易员将卖压矛头指向这篇韩媒报导。

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由于记忆体股约占韩国综合股价指数（KOSPI）权重 60%，韩股应声重挫逾 10%，并触发熔断机制，恐慌情绪随后迅速蔓延至全球市场。

报导引述一名熟悉 SK 海力士内部状况的人士表示，由于辉达 (NVDA-US) 下一代晶片Rubin的生产预测持续下修，公司管理层已认为没有必要加速推进 HBM4 产线转换，冲击市场对 HBM4 需求强劲的预期，引发对高阶 AI 基础建设需求前景的疑虑，并对辉达等相关供应链构成压力。

从更宏观的角度来看，这一动向也与辉达高阶系统推进所面临的困境相呼应。搭载 HBM4 的Vera Rubin机架，因记忆体价格大幅攀升而推高整体成本，使超大规模资料中心业者的利润空间承受压力。

当天美光科技 (MU-US) 股价重挫 13%，威腾电子 (WDC-US) 收跌 8.5%。

分析指出，韩媒报导的核心逻辑在于记忆体市场内部盈利结构出现变化。截至今年第一季，通用型 DRAM 与 HBM 之间的营业利润率差距已扩大至逾 15 个百分点，通用 DRAM 反而占优势。

大信证券预估，一般 DRAM 的营业利润率今年理论峰值可达 90%。

在此背景下，SK 海力士管理层也不得不正视竞争对手三星电子已透过一般型 DRAM 获取丰厚利润的现实。据传，SK 海力士也正延后将部分第五代 HBM（HBM3E）产线转换为 HBM4 的计画，转而加强对一般型 DRAM 市场的供应能力。

SK 海力士在第一季财报中亦揭露，DRAM 平均售价已升至 60% 中段水準，并与微软签署一份为期三年的 DDR5 供应合约，外界普遍解读为公司意在一般型 DRAM 领域锁定长期获利能见度。

值得关注的是，近期多家国际投资银行的观点，与 SK 海力士的策略调整方向大致形成呼应。

高盛指出，对 SK 海力士而言，只要在 2026 年前维持 HBM3 与 HBM3E 合计市占率仍稳居 50% 以上，即足以巩固其在 HBM 领域的竞争地位。

另一方面，摩根士丹利则认为，市场评价 SK 海力士的关键，与其在 HBM 市占率的消长关係相对有限，真正核心仍在于整体记忆体价格循环的走势。

该行并预期，DRAM 平均售价至 2026 年有望累计上涨约 62%，因此相应上调公司获利预测约 56% 至 63%。

不过，HBM4 扩产节奏若放缓，也可能为竞争对手创造切入空间。

根据 Counterpoint Research 数据，SK 海力士去年第四季在 HBM 市场市占约为 57%。然而若三星于今年下半年顺利推进 HBM4 量产，市场结构恐将重新洗牌，使 SK 海力士市占逐步回落至约 50% 至 60% 的区间。

SK 海力士此次放缓 HBM4 扩产计画，究竟是主动管理定价节奏的策略性选择，还是终端需求走软的讯号，目前市场看法仍存分歧，但其所触发的全球风险趋避情绪，已是不争的事实。