台积电传将「玻璃中介层」作为未来十年重大决策！对英特尔EMIB形成压力

市场传出，台积电 (2330-TW) 正规划在 2029 年前后，由现行硅中介层逐步转向採用CoPoS大尺寸玻璃中介层技术。

分析人士指出，随着 AI 晶片进入更大规模整合（包括多颗 HBM4E 甚至 HBM5E 记忆体堆叠），封装技术将成为算力竞赛关键瓶颈。

在此趋势下，台积电若成功导入 CoPoS 与玻璃中介层架构，将可能进一步巩固其在先进封装市场的领先地位，同时对竞争对手如英特尔 (INTC-US) 的 EMIB 等技术形成压力。

半导体分析师 Andrew Lu 指出，当辉达 (NVDA-US) 、超微半导体 (AMD-US) 等 GPU 客户，以及亚马逊 (AMZN-US) 、Google(GOOGL-US) 、Meta(META-US) 与微软 (MSFT-US) 等 AI ASIC／TPU 大厂，为了追求更高算力，预计从 2028 年开始导入更複杂的晶片设计，例如多层逻辑电晶体堆叠，并将 HBM 记忆体数量从目前的 12 颗 HBM4E，进一步提升到 20 至 24 颗 HBM5E。

随着晶片变得越来越大，对封装用的硅中介层需求也出现明显变化。以 12 吋晶圆为例，如果是较小的 5.5x reticle（约 70mm×70mm）晶片设计，一片晶圆大约可以切出 8 片硅中介层；但当晶片放大到 9x reticle（约 90mm×90mm）时，产量会降到约 5 片；如果再放大到 14x reticle（约 110mm×110mm），甚至可能只剩约 4 片。

换句话说，如果未来 AI 晶片全面走向 9x 或 14x 这种大尺寸设计，即使总需求没有变，硅中介层的产能也会直接减少约 40% 到 50%。

如果再考虑製程良率等因素，实际供给紧缩甚至可能超过一半。在这种情况下，高阶硅中介层价格上涨一倍，市场认为是合理的发展。

正因为这种结构性变化，Lu 解读台积电未来可能会更积极推动新一代封装技术，也就是以玻璃中介层取代部分硅中介层需求，并透过 CoPoS 从传统圆形晶圆转向方形面板架构，加速扩产与量产进程。

Lu 预期，一旦相关技术成熟，CoPoS 可能在 2029 年前后进入快速放量阶段，成为台积电未来十年在 AI 先进封装领域的重要发展方向。

Lu 推估，台积电 CoWoS 产能在 2026 年底可能达每月约 20 万片，2027 年成长至 28 万片，2028 年进一步至 36 万片，但自 2029 年起扩张速度可能趋缓。

相较之下，CoPoS 技术预计最快于 2028 年开始小量试产，并于 2029 年进入加速扩产阶段，年底产能有望达每月约 1.2 万片，后续在 2030 年后进一步快速成长。