美光93亿美元广岛扩建工程动工 预定2028夏季HBM出货
美光科技 (MU-US) 周六（4 日）正式启动位于日本西部广岛工厂的扩建工程，这项总投资 1.5 兆日元（93 亿美元）的项目，旨在生产高频宽记忆体（HBM）等先进记忆体晶片，以满足人工智慧（AI）浪潮带来的需求。
美光科技正式启动广岛工厂扩建工程，预计 2028 年夏季左右开始出货。为支持该项目建设，日本经济产业省已承诺提供最高 5,000 亿日元的补贴。
美光日本分公司代表董事 Kota Nosaka 表示：广岛工厂最大的优势在于，能够快速向客户交付最先进、高性能的产品。在这里开发下一代晶片，牵动美光整体战略布局。
儘管日本在先进晶片材料和设备领域拥有众多领先企业，但在成品半导体製造领域已逐渐失去主导地位。Nosaka 说，目前广岛工厂所需晶片材料约 80% 来自日本本土供应商。
美光科技表示，日本工厂扩建后，将有助于提升人工智慧服务和自动驾驶车所需晶片的能效和数据传输效率。
日本经济再生大臣赤泽亮正称，半导体不仅支持 DX（数位化转型）和 GX（绿色转型），从经济安全角度来看，也是极其重要的战略材料。
连同研发支持资金在内，日本政府迄今已累计为美光科技提供约 7,750 亿日元的支持。
近期美光、三星电子和 SK 海力士各自都宣布了增强製造能力的计画。
本周早些时候，SK 海力士宣布，计划投资 80 万亿韩元（514.6 亿美元），在韩国忠清北道首府清州市新建一座 NAND 记忆体晶片工厂。
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