DRAM 涨势仍是 H2 主旋律，NAND 进入高原整理

记忆体市场下半年持续受惠 AI 需求带动，不过 DRAM 与 Flash 涨价节奏仍分歧。其中，业界普遍认为，DRAM 供给缺口仍未改善，下半年合约价仍有双位数涨幅，DDR4 第三季涨势看仍可超过三成；反观 NAND Flash 虽然需求持续，但价格涨幅已逐步进入高原期，第三季预估约一成多，短期追涨力道不若 DRAM。台股相关业者包括南亚科、华邦电、旺宏、群联，以及威刚、创见、宇瞻、十铨、宜鼎等。

市场原先预期第三季DRAM合约价约季增13%至18%，但DDR4供需仍比预期吃紧，除企业与工控市场仍大量使用DDR4外，因DDR5价格仍偏高，对不少中低阶PC或成本敏感的应用而言，DDR4仍是性价比更高的选择，Consumer DDR4平台的生命週期会比市场原先预期更长。而CSP业者也为确保供货，愿意接受更高价格，并有洽谈1至2s年锁定供货量的长约，推升DDR4第三季价格仍走扬。

至于Flash市场，产业人士表示，AI伺服器、企业级储存及边缘AI等新应用仍持续推升需求，整体基本面并未转弱，成熟型Flash包括SLC/MLC NAND及NOR Flash仍受惠供给缺口，价格维持上涨趋势。不过，若观察整体NAND市场，包含3D NAND、Client SSD及Enterprise SSD等产品，涨幅已较DRAM明显收敛，有业者预期第三季平均涨幅约一成多，第四季也可能再放缓，价格可能逐渐进入高原整理阶段。

业界指出，目前记忆体市场仍维持DRAM强于Flash的格局，主要原因在于HBM、DDR5及LPDDR5X等高阶产品持续排挤成熟DRAM产能，使DDR4供给缺口短期仍难以补足；相较之下，Flash虽受AI新增需求支撑，供需结构相对健康，但供给弹性仍高于DRAM，因此价格走势趋于平稳。

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