SK 海力士宣布携手 Sandisk 发布 HBF 首个标準规範

韩国记忆体大厂 SK 海力士宣布，公司联手 Sandisk 共同发布下一代存储技术的高频宽快闪记忆体 （HBF，High Bandwidth Flash） 的首个标準规範。由于 HBF 是介于 HBM 和固态硬碟之间的新型储存层级，不仅具备与 HBM 类似的高速资料传输能力，还可藉由N AND 快闪记忆体大幅提升容量。在 AI 推理普及、资料处理需求激增的背景下，其高频宽与可扩展容量特性优势备受瞩目。

SK 海力士表示，此次发布的标準规範，是继 SK 海力士 2025 年 8 月与 Sandisk 启动 HBF 标準化合作，并于 2026 年 2 月成立联盟后，历时约六个月推出的首个成果。此规範定义了两种容量配置，分别採用 8 层和 16 层堆叠 NAND 快闪记忆体晶片堆叠，最高支援 512GB 容量，并以三个等级 （ Grade 1~3 ） 设定频宽标準，资料传输能力涵盖约 0.4TB/s 至 3.0TB/s 等範围 。

值得关注的是，HBF 与处理器之间採用业界标準 UCIe 互联，使得 HBF 与 GPU、CPU等不同类型的晶片弹性连接奠定了基础。此外，该规範涵盖互联介面与电气特性、HBF Die 堆叠製程的可靠性与封装指南，以及资料读写软体使用指南等内容。此规範由全球最大的开放式资料中心技术合作组织 OCP（ Open Compute Project ） 正式发布，成为业界通用开放标準，而非企业私有标準。

目前，SK 海力士也计画加速 HBF 在 AI 储存市场的规模化落地，并加速建构生态体系。现阶段，HBF 联盟已汇聚了包括谷歌与 Tenstorrent。未来，公司将持续依托开放合作，不断扩大生态体系，同时提昇技术成熟度与市场接受度。SK海力士强调，随着代理式 AI 快速商业化，待处理资料规模激增，对处理速度和效率的要求也不断提高。在此背景下，单一记忆体产品已难以满足需求，因此需要採用 分层记忆体（ Tiered Memory ） 架构，整合特性互补的多种记忆体并协同最佳化。

尤其值得注意的是，SK 海力士还将首次公开目前开发进展顺利的第十代 （V10） 由 375 层堆叠的 4D NAND 快闪记忆体晶圆和产品。较上一代，其效能功耗比提升 2.5 倍，特别适用于效能与能源效率要求极高的 AI 基础设施环境，例如资料中心。SK 海力士计划于 2027 年初启动基于此 NAND 快闪记忆体的高效能、大容量企业级固态硬碟量产，进一步巩固其在 AI 时代 NAND 快闪记忆体市场的领先地位。

此外，该公司还将展示面向行动终端、PC、汽车和机器人等多个领域的系列产品，全面呈现 SK 海力士引领 AI 时代的记忆体技术优势以及客户合作成果。SK 海力士副社长金千成表示，AI 应用的快速普及，正推动整个数据处理架构迎来重构的关键期。通过 HBF，公司将突破记忆体与储存的边界，助力构建提升系统整体效率的新架构。