〈华邦电法说〉客户盼产能谈到2030年 启动Module B扩产计画

记忆体业者华邦电 (2344-TW) 今 (6) 日召开法说会，总经理陈沛铭表示，记忆体供给持续吃紧，已有多家客户希望将长约谈到 2029 年、甚至 2030 年，并提前锁定高雄 Module B 新厂产能。因应长期需求，公司已正式启动 Module B 扩产计画，预计 2027 年 1 月动工、2029 年开始装机，最快 2029 年底进入量产。

陈沛铭指出，高雄现有 Module A 月产能将由目前 1.5 万片扩增至 2.4 万片，预计今年底开始投片。不过，Module A 扩产完成后，厂内空间几乎已全数用尽，为因应客户对 2029 年以后产能的强烈需求，公司因此启动 Module B 建置。

依目前规划，Module B 预计 2027 年 1 月动工，若工程进展顺利，2029 年 1 月可开始装机，并採取设备陆续进场、陆续启动的方式，预计 2029 年第四季进入较大规模投产，实际产出与营收贡献则主要落在 2030 年。

陈沛铭表示，目前已有不少客户希望在既有长约之外，进一步洽谈 2029 年后的供应，甚至询问能否提前签订 2030 年 Module B 的长期供货协议，反映全球对成熟型及利基型记忆体产能的竞逐仍相当激烈。

华邦电认为，除了 AI 带动 HBM 需求外，DDR5、LPDDR5、未来 LPDDR6，以及公司主力的利基型 DRAM、CUBE 与客製化记忆体，也都面临供应紧张。公司并预期，2027 年记忆体供给可能比 2026 年更加吃紧。

Module B 无尘室面积预估约 3 万平方公尺，约为现有高雄厂区 1.55 万平方公尺的两倍。若未来全部装满设备，月产能可容纳约 5 万至 6 万片，但公司不会一次完成所有设备投资，而是依客户需求、产品组合及长期供货协议分阶段扩充。

陈沛铭表示，Module B 可能先建置 1 万片、1.5 万片或 2 万片产能，再依市场状况逐步增加。未来产品将涵盖标準型 DRAM、CUBE、Wafer-on-Wafer、客製化 ASIC 记忆体及硅电容等，实际设备配置将依客户预测与承诺调整。

製程方面，Module B 将支援下一代 14 奈米及未来 12 奈米 DRAM 製程，并规划导入 EUV 设备。公司将先发展非 EUV 版本的 14 奈米製程，后续再以 EUV 技术为 12 奈米量产做準备。

由于一般半导体设备交期约 12 至 14 个月，EUV 设备交期更可能长达 3 年至 3 年半，华邦电必须提前规划设备採购与产能配置。Module B 也将採分阶段装机方式，避免一次投入过多资本，并提高产能与客户实际需求的匹配度。

资本支出方面，华邦电预估 2026 年全年资本支出约 395 亿元，上半年已投入约 75 亿元，主要用于高雄厂设备扩充及製程升级。

至于 Module B 整体投资金额，陈沛铭坦言，规模将非常大。他以同业建置 4.5 万片月产能、投资约 3,500 亿元为例，若华邦电首阶段建置 1.5 万片产能，可粗略以三分之一规模推估，但实际金额仍取决于製程、设备数量及 EUV 导入程度。

在既有产能方面，高雄厂目前月产能约 1.5 万片，预计年底提高至 2.4 万片。现阶段 16 奈米月产能仅约 2,000 片，公司理想目标是未来将 16 奈米提高至每月 1.6 万片，但转换速度仍需视客户对 20 奈米产品的需求而定。

随着高雄厂产能提升及 16 奈米製程导入，华邦电预期 2027 年高雄厂位元产出有机会倍增。公司也将透过製程微缩、良率提升及产品组合调整，在 Module B 量产前，尽可能提高既有厂区的有效产出。

华邦电强调，未来签署长约时不会只追求订单数量，而会优先选择具备 5 至 10 年长期竞争力、需求稳定且愿意共同承担产能投资的策略客户，确保 Module B 大规模资本支出能与长期订单相互配合。