台积电宣布2030年起导入ASML High NA EUV、微影光罩尺寸扩大一倍

艾司摩尔(ASML-US)台积电(2330-TW)(TSM-US)今(8)日共同宣布，台积电将自2030年起在先进製程量产中导入艾司摩尔的High NA EUV技术，并进一步扩大微影光罩尺寸，从现有的6吋光罩扩大至12吋光罩，尺寸放大一倍，进一步提升设备生产力。

台积电表示，High NA EUV将自现行的6吋光罩，转移至更大的12吋光罩，预期将进一步提升晶圆厂的生产力、降低晶片製造成本，并消除需要两张6吋光罩在High NA EUV曝光时进行拼接的限制，使整个半导体产业受惠。此转移能让先进晶片製造服务提供者充分利用High NA EUV的优势，更提升未来世代先进晶片的成本效益。

艾司摩尔总裁暨执行长Christophe Fouquet表示，预期随着元件微缩蓝图的推进，High NA EUV的採用将逐步提升。初期透过沿用现行的6吋光罩，而后导入12吋光罩以进一步提升设备生产力，让产业能够满足市场对更小、更快、更节能晶片的需求。很高兴这项合作在初期便获得半导体製造厂商、光罩厂商、以及合作伙伴的大力支持。

台积电董事长暨总裁魏哲家表示，公司深信，唯有产业携手解决複杂问题，才能开创单一企业无法独力实现的无限可能。藉由汇聚产业价值链的专业能力，期许透过持续创新来降低门槛，让先进解决方案得以大规模普及，进而持续传递尖端技术的价值。

台积电有意自2030年起，在先进製程量产中导入艾司摩尔的High NA技术。随着製程技术持续推进，特别是在AI应用带动电晶体架构日益複杂的趋势下，预期需要使用High NA EUV 曝光的光罩层数将随之增加。

艾司摩尔与台积电7日于加州蒙特雷举办的BACUS国际光学工程学会(SPIE)先进微影技术研讨会前宣布发起产业合作，以共同推动转移升级至12吋光罩，并计划于2031年之前建立12吋光罩试产线，为2033年12吋High NA微影系统导入先进製程量产奠定基础众多关键生态系统伙伴与供应商均出席此活动，并表达对该转移的参与意愿，突显出产业对此的广泛支持。