ASML携手晶圆巨头研发新一代大光罩技术 突破High-NA EUV晶片面积限制

荷兰半导体设备巨头艾司摩尔(ASML)宣布，计画与英特尔(INTC-US)、台积电(2330-TW)(TSM-US)、三星电子及辉达(NVDA-US)等大客户合作，共同研发尺寸更大的新一代光罩技术。此项合作旨在推进下一代高数值孔径极紫外光(High-NA EUV)微影设备，以利製造用于AI资料中心的超大型处理器。

目前广泛应用的标準极紫外光(EUV)设备，其曝光印刷的晶片面积上限约为800平方毫米，辉达与Google等设计的顶级晶片已逼近此物理极限。虽然新一代High-NA EUV能提供更精细的製程线宽，但因为使用较小的光罩，导致其可印刷的晶片最大面积受到限制，无法直接产出与现今最大型资料中心晶片同等大小的晶片。

为了解决这项瓶颈，ASML正转向研发尺寸更大型的光罩(如12吋光罩)。ASML技术长 Marco Pieters 对此指出，若半导体产业能成功实现这项技术升级，该系统的生产效率(产能)预期将提升约40%。ASML预计在2031年展示大光罩技术的试产线，并于2033年实现量产準备。

目前各晶圆代工与记忆体巨头导入High-NA EUV的进度不一。英特尔在採用此技术上进展最快，于2024年在美国奥勒冈州装设全球首部商用High-NA EUV系统；今年7月，英特尔晶圆代工进一步利用该技术製造部分基于Intel 18A製程的Panther Lake处理器并开始出货。截至目前，英特尔已累计处理超过100万片300毫米晶圆。

相较之下，台积电则规划自2030年起，在先进製程的量产中导入High-NA技术。

记忆体方面，三星电子目标在2028年前将High-NA EUV引进DRAM记忆体晶片的量产；而SK海力士(SKHY-US)也正评估参与这项大光罩计画，同样设定以2028年作为在DRAM量产中导入High-NA EUV的时程目标。