美光推全球首款512GB DDR5记忆体模组 预计2027下半年量产

美光 (MU-US) 在超高密度伺服器记忆体领域取得新进展，已成功在多款伺服器平台展示全球首款512GB DDR5 RDIMM，并预计于 2027 年下半年依客户需求投入量产。

美光 (MU-US) 週二股价收涨0.39%，上涨3.57美元，收在每股927.60美元。盘中最高触及944.94美元，最低下探920.13美元。

美光表示，这款512GB DDR5模组是公司产品开发的重要里程碑，锁定人工智慧 (AI)、资料分析、记忆体内资料库及模拟运算等高负载应用，传输速度最高可达9,200 MT/s。

AMD (AMD-US) 与英特尔 (INTC-US) 目前均在验证这款模组，以确认其与下一代伺服器平台的相容性，并为后续部署与量产做好準备。

美光透过先进垂直互连封装技术，利用硅穿孔 (TSV) 垂直堆叠并连接DRAM晶粒，在维持资料中心所需效能的同时，提高单一封装的记忆体密度。

若搭载于具有24个记忆体插槽的双路伺服器，整体DDR5记忆体容量最高可达12TB，让更多资料直接留在主记忆体内，降低对速度较慢储存设备的依赖及资料搬移成本。

在能源效率方面，单一512GB RDIMM的运作功耗，较4条128GB RDIMM组成的同容量配置降低逾60%，可在不扩大现有伺服器空间的情况下，提高记忆体容量、虚拟化密度及能源效率。

美光云端记忆体事业部资深副总裁暨总经理Raj Narasimhan表示，512GB RDIMM能支援多TB级伺服器，满足更大型的AI与资料库工作负载，同时改善资源利用率。

效能测试显示，在以Spark支援向量机 (SVM) 为基础的记忆体受限型资料分析工作负载中，512GB RDIMM效能最高可达256GB DDR5配置的1.4倍。

新模组也适用于RocksDB、Redis等高度依赖记忆体的资料库及快取平台，可提高资料处理量与并行作业能力，并支援更大规模的资料集。

美光指出，随着大型语言模型 (LLM)、代理型AI、即时推论及高核心数CPU工作负载快速成长，市场对伺服器记忆体容量、频宽及能源效率的需求持续升高。

AMD表示，正与美光合作整合运算与记忆体创新，以因应现代资料中心工作负载日益增加的规模与複杂度。英特尔也指出，记忆体容量与频宽正成为影响伺服器整体效能的重要因素。