三星HBM4大扩产 明年产量至少翻倍、产能增近四成

三星电子(005930KS) 正加速扩大高频宽记忆体（HBM）布局，预计明年包括第六代 HBM4 与第七代 HBM4E 在内的 HBM4 系列产量，将较今年至少翻倍。相关迹象显示，三星计画把 HBM 製程使用的玻璃载体清洗量提高至今年的 2.5 倍，为后续扩产提前準备。

半导体业界消息指出，三星计画将外包清洗的玻璃载体数量，由今年每月2万片增至明年每月5万片。去年每月清洗量仅1万片，今年已翻倍，明年更将进一步增至今年的2.5倍。

玻璃载体是在 HBM 製程中，暂时安装于 DRAM 晶圆底部的支撑结构，可避免晶圆在蚀刻与钻孔过程中弯曲或破裂。由于 HBM 必须在有限厚度内堆叠多层 DRAM，随着堆叠层数增加，晶圆减薄技术与翘曲控制的重要性也同步升高。

三星正积极筹备扩大 HBM4 与 HBM4E 产能，两款产品主要採用12层以上的高堆叠结构。业界分析，即使玻璃载体清洗后可以重複使用，实际用量也会受到投料方式及各製程良率影响，但若相关需求增至2.5倍，HBM4系列产量明年至少翻倍的可能性相当高。

三星今年2月开始量产採用4奈米製程逻辑晶片、搭配第六代 1c DRAM 的 HBM4，5月也已向包括辉达（NVIDIA）在内的客户提供12层 HBM4E 样品。

业界预估，三星整体 HBM 产能明年将成长近四成，由今年每月约18万片晶圆增至约25万片。产品结构也将明显转向新一代规格，HBM4系列出货占比预计由今年约四成升至明年约八成，主要受惠于 HBM4E 即将全面量产。业界人士指出，三星在扩大 HBM 产能之际，也将高价值的 HBM4 系列置于核心地位。