DRAM第三季最高涨30% 云端巨头提前接受明年Q1再涨价

美银证券最新通路调查显示，2026年第三季多数DRAM产品平均售价季增20%至30%，NAND涨幅也超过15%；超大规模云端业者更已提前签约，同意2027年第一季以高于2026年第四季的价格採购DRAM，显示大型客户已接受涨价预期并锁定合约。

美银证券分析师Simon Woo发布最新记忆体产业报告，针对记忆体晶片製造商、现货市场经销商及OEM业者进行调查后指出，儘管长期协议占比上升，第三季多数DRAM产品平均售价仍较第二季上涨20%至30%，NAND涨幅则超过15%，反映记忆体市场价格表现强劲。

‌

然而涨势并未在第三季告终。美银预估，第四季记忆体平均售价至少仍将呈现个位数成长。

更值得注意的是，超大规模云端业者已签订新合约，同意2027年第一季支付高于2026年第四季的DRAM价格，意味买方不仅接受短期涨价，也已将明年初价格续扬的预期写入合约。

供应短缺支撑价格

美银指出，记忆体供应持续短缺，加上部分OEM与大型科技公司加快晶片採购，使其对2027年上半年市场看法转趋乐观，并上调2027年至2028年DRAM平均售价预测8%至12%，NAND平均售价预测也提高2%至3%。

至于2026年下半年，由于原先预估已偏乐观，因此维持原有看法不变。

调整后，美银预估2027年DRAM平均售价约为每8Gb当量17.1美元，2028年约为16.2美元；NAND平均售价则分别约为每256Gb当量10美元及8.7美元。

供需数据显示，2026年DRAM供需充足率仅约79%，远低于100%的平衡水準，直到2027年才逐步回升至接近均衡；NAND在2026年的供需充足率约80%，预计2027年回升至约102%。供给受限，成为记忆体价格得以持续走高的主要支撑。

PC与智慧机减产幅度不严重

报告指出，儘管记忆体短缺，PC与智慧型手机今年以来的减产幅度并不严重，出货量较去年同期仅减少约10%，显示终端需求尚未出现大幅萎缩，供需缺口主要受到AI伺服器强劲需求推动。

在伺服器市场，AI伺服器对高频宽记忆体（HBM）的需求已占DRAM总出货量逾50%。美银预估，2026年HBM市场规模将达774亿美元，年增124%，2027年再扩大至1,528亿美元。

2028年估迎软着陆

不过，美银并未预期价格将一路直线上涨。报告估计，2028年整体记忆体平均售价将较2027年下跌约10%，其中DRAM下跌5%、NAND下跌13%，但将此视为2029年至2030年新一轮成长前的软着陆。

届时，更先进的AI应用，以及採用高阶记忆体的GPU与ASIC，将再度成为市场成长动力。

长期来看，美银将2030年全球DRAM与NAND市场规模预测由1.8兆美元上调至2兆美元，并预估2027年至2030年两者合计销售额的年複合成长率将达21%。

支撑这项预测的因素，包括供应持续紧张、AI晶片需求强劲、位元出货量维持高两位数成长，以及HBM、SOCAMM与企业级固态硬碟等先进产品比重提高。

美银自建的记忆体景气指数7月维持在历史新高180，远高于周期中位数100，也高于2017年至2018年高峰的120。美银预期，8月至9月相关数据仍将保持强劲。