AI太会吃记忆体 三星、美光示警：DRAM明年供应更紧

AI需求持续攀升，三星电子(005930KS) 与美光科技(MU-US) 相继对记忆体供应示警。三星预估，明年高频宽记忆体（HBM）占DRAM晶圆产能比重将逼近三成，进一步压缩传统DRAM供应；美光则指出，订单远超产能，2027、2028财年记忆体与储存供需将比2026财年更加吃紧。

三星执行副总裁Kim Taewoo表示，HBM与传统DRAM共用同一批晶圆产能，随着HBM产量增加，传统产品的供应空间势必受到压缩。明年HBM占DRAM厂商晶圆总产能比重，预计将由目前约20%升至近30%。

三星、SK海力士(000660KS) 与美光均积极扩大HBM产能，三星已于今年2月量产HBM4，并持续扩产。随着资源向AI倾斜，DDR4、DDR3及利基型记忆体等传统DRAM产能受到排挤，供应恐进一步吃紧。

美光执行长Sanjay Mehrotra表示，客户在长期供应协议下的财务承诺，已由6月公布的220亿美元增至320亿美元，其中多数为现金订金。公司也已透过协议锁定2027年大部分HBM产能，并将提高2027财年资本支出。

美光总裁暨营运长Manish Bhatia指出，相较于逻辑晶片或资料中心电力，记忆体是AI领域的主要瓶颈，资料中心也已成为记忆体与储存产品的最大市场。

美光订单远超产能，正扩大全球几乎所有据点的产能，包括在日本与美国建立新基地。然而，扩产速度仍有侷限。公司预计首批硅晶圆于2027年中产出，但工厂还需数季爬坡，才能对市场供应产生实质影响。

台厂看好缺货延续

供应吃紧也支撑台系DRAM厂商的市场展望。南亚科(2408-TW) 总经理李培瑛表示，AI记忆体需求爆发式成长，正排挤PC、手机、车用及消费性电子产品的晶片供给，缺货预计还将持续数季，今年下半年DRAM售价仍有上涨空间。

南亚科目前产能已满载，长约涵盖约五成产能，后续将持续推动短约转为长约。新厂第一阶段规划于2028年达到月产能3万片，新产能开出前，仍须仰赖现有产线供货。

华邦电(2344-TW) 总经理陈沛铭则预期，2027年市场供需将比今年更紧。公司已启动高雄厂模组B扩建计画，预计明年1月动工、2029年底量产，扩产效益仍需时间才能显现。

客户抢签长约 锁定货源

机构分析指出，客户正加紧锁定中长期货源，採购考量已由价格延伸至交期与供货保障。AI应用持续扩张，传统产品供给能否跟上需求，取决于原厂资源配置与新产能开出的速度，短期供给缺口难以迅速填补。

对南亚科、华邦电等台厂而言，商机除了报价上涨，也包括客户寻求替代供应商的转单需求。若能稳定出货、配合产品验证并提供长期供货保障，将有机会提高客户採购占比，把短期转单转为长期合作。