AI电源升级潮 广闳科打进HVDC供应链 部分订单看至年底

随着 AI 资料中心算力与能源效率要求持续拉高，各家云端服务供应商 (CSP) 皆加速导入 800VDC/±400VDC 的全新电源架构，带动相关功率元件需求大增，广闳科 (6693-TW) 高中低压 MOSFET 已获电源大厂採用，切入 HVDC 供应链，部分订单已看至年底，法人估，广闳科今年营收将年增双位数、续创新高。

业界指出，AI 电源架构正快速升级，从高压电力进入资料中心后，透过集中式整流再分层降压至各机柜，以减少电力损耗、提升能源效率，由于电压大幅提升，对 MOSFET 的颗数、抗压能力及可靠度需求皆大幅提升，功率元件也成为此次 HVDC 改革的大赢家之一。

广闳科受惠 HVDC 需求，迎来三大动能，除受惠高中低压 MOSFET 与散热所需的 BLDC 需求强劲，BBU 经历多年耕耘，出货量也自去年第四季起逐步提升，预计今年将显着放大，带动订单已看到今年中，部分订单甚至看至年底，预期在 AI 资料中心不断建置下，相关需求只增不减。

针对 HVDC 各环节，广闳科皆有产品布局，高压 650V 的 SiC Diode/MOSFET 已经导入客户端，正进行小量验证，可因应 400VDC 规格，随着未来电源架构进入 800VDC，也进一步推出 1200V SiC Diode/MOSFET，可满足客户需求。

另外，随着电压进入分层降压，广闳科已推出 48V 架构所需的 80-100V MOSFET，以及 12V 所需的 30-40V 低阻抗高电流 MOSFET，对应 AI 伺服器从高压输电到多段降压的需求。

BBU 方面，广闳科历经两年多耕耘，相关 MOSFET 打入多家国际大厂，去年第四季开始小量放量，今年第一季起正式进入量产阶段，成为今年主要成长动能之一。

展望后市，随着 800VDC 电源架构逐步成形，且 BBU 与 AI 伺服器陆续放量，广闳科因产品布局完整，可望为未来数年营运奠定成长动能。