两大产品线获利状况如印钞机，小摩力挺华邦电目标价达到 140 元
随着记忆体产业迎接罕见的超级週期，外资小摩（J.P. Morgan，摩根大通）发布最新研究报告表示，台系记忆体大厂华邦电释出强烈看多讯号，尤其受惠于 DRAM 与 Flash 两大产品线的强劲获利能力与成长前景，小摩决定将华邦电的目标价由原先的 83 元，一口气调升至 140 元，维持优于大盘投资评等，并预估其 2026 年 EPS 将翻倍成长，展现出惊人的获利爆发力。
小摩在报告中大幅上修了对华邦电的财务预测，原因是基于DRAM和Flash前景转佳，分析师将华邦电2026年与2027年的EPS预估值几乎翻倍上调。其中，2026年的EPS预估值从原先的6.31元，大幅上修97%至12.44元。而2027年EPS预估值则由5.8元，上修106%至12.0元。这一预测数字显着高于市场共识。根据报告引用数据，彭博（Bloomberg）市场共识对华邦电2026年EPS的预估仅为8.5元，显示小摩对华邦电在这一波记忆体上升循环中的获利能力，其抱持极度乐观的态度。
小摩指出，针对华邦电目标价调升至140元的依据，则是採用了更为积极的评价模型。新的目标价是基于2026年预估每股净值的4倍来计算。分析师对此解释，虽然过去十年华邦电的股价净值比（P/B）峰值约为2倍。但在当前的记忆体超级週期下，加上人工智慧（AI）需求对产能的排挤效应，以及华邦电自身的产品规格升级，理应享有更高的评价。
此外，小摩还预估，华邦电2026年的股东权益报酬率（ROE）将达到36%，相较于2021年的18%翻了一倍，强劲的ROE表现足以支撑股价净值比的重新进行评级调整。而目前的目标价140元，换算约为2026年预估EPS的11倍本益比，仍处于合理区间。
小摩报告中强调，华邦电此次获利爆发的关键，在于其均衡的营收结构使其能同时受惠于DRAM的强大获利能力与Flash的成长前景。其中在DRAM方面，小摩预估DRAM营收将在2026年成长超过200%。而造成这样发展的因素在于：
- 强劲的定价能力：小摩的模型预估，2026年第一季华邦电的DRAM价格将季增40-60%，第二季则将持续双位数季增。
- 产品升级：DDR4 8Gb产品预计于2026年初量产，将进一步推升成长。
- 成熟製程策略：儘管推进新製程，但是DDR3在2026年仍将佔华邦电DRAM出货量的30-40%。因此，公司可以策略性地将DDR3 4Gb的定价与DDR4 4Gb挂钩（benchmarking），以最大化获利。
- 库存利益：截至2025年第三季末，华邦电持有高达新台币253亿的库存。其中，超过50%为製成品。公司计划将这些低成本库存平均分配在未来各单季出货，而非急于在前段时间倒货，这反映了管理层对2026年下半年价格续强的信心。
至于在Flash业务方面，小摩预估该板块营收在2026年将成长70%以上。随着记忆体产业整体复甦，预期2026年第一季与第二季Flash价格皆将出现十位数百分比的季增幅，这就将带动Flash业务的毛利率显着扩张，预计从2025年第四季的低于30%，大幅跃升至2026年下半年的50%。做为全球最大的NOR Flash供应商，华邦电计划将产能从2025年底的每月2.5万片，扩充至2026年中期的3万片，进一步巩固市场地位。
值得注意的是，小摩在报告中也提到了同业旺宏的动态。由于旺宏是华邦电在NOR Flash与SLC NAND的主要竞争对手，且拥有MLC NAND产能。分析师推测，旺宏未来若将更多产能分配给价格涨幅与DRAM相当的MLC NAND，将间接有利于华邦电在NOR与SLC NAND市场的供需状况。
从整体财务数据来看，小摩预估华邦电2026年营收将达到1,699亿元，年增率高达90%。更惊人的是毛利率的改善，预估2026年全公司毛利率将达到59%，远高于2025年预估的35.1%以及2024年的29.4%。这一结构性的转变来自于记忆体业务佔比的提升。预估到2026年，记忆体业务将佔总营收的82%，而逻辑业务佔比则降至18%。报告预测，2026年华邦电的营业利益率将达到41.6%，较前一年的6.5%出现爆发性成长。
整体来说，小摩此次报告展现了对记忆体产业复甦的高度信心，认为华邦电凭藉其在库存管理、产品转型，以及在AI时代边缘运算需求的战略地位，正处于获利爆发的甜蜜点。随着2026年营收与获利预估的大幅上修，加上目标价调升至每股140元，华邦电已成为外资眼中这波记忆体超级週期不可忽视的重点标的。