记忆体出现杂音！DRAM现货价近半年首见走弱 问题在「成本红线」

美银最新报告显示，在历经 4 至 5 个月连续上涨后，DRAM 现货价格上周出现走弱，为 2025 年 9 月以来首次回档，为火热的记忆体行情投下一道杂音。美银分析指出，目前仍不宜将此解读为产业反转或硬着陆的早期讯号，但短期价格波动已开始反映终端成本。

美银指出，随着 DRAM 现货价格持续攀升，多家原始设备製造商（OEM）已反映，记忆体成本在低阶个人电脑、智慧型手机与平板电脑中的占比，已高于合理水準。一般情况下，DRAM 成本占终端产品售价比例应低于 10%，但以目前现货价格计算，部分产品已难以吸收相关成本。

不过，从合约市场来看，美银认为现货与合约价格仍存在明显落差。第一线 OEM 取得的 DRAM 合约价格，仍大致落在每 GB 10 至 20 美元区间，远低于现货市场水準，显示现货价格后续可能朝合约价格回归。部分模组厂亦指出，若 DDR4 或 DDR5 价格回落至 20 至 30 美元区间，不论容量或规格，市场仍具备明显追加採购动能。

短期杂音之外，美银同步上修对记忆体产业的中期展望。根据 1 月 31 日发布的最新模型更新，美银将 2026 年 DRAM 与 NAND 平均销售价格（ASP）预期上调 20% 以上，并小幅提高储存位元出货量成长假设，同时上修资本支出预估，主要反映高频宽记忆体（HBM）扩产，以及晶圆厂土木工程与电力等基础建设投资增加。

美银指出，HBM 市场规模持续扩大，一方面来自美国大型科技企业对 AI 与高效能运算的需求持续走强，另一方面则与 三星 HBM4 产品量产进度顺利有关。整体来看，AI 伺服器需求仍是支撑记忆体价格与产值的重要结构性力量。

在供需结构上，儘管部分 OEM 因成本压力调降终端产品产量，但美银认为，AI 伺服器需求稳健成长，使相关影响对整体储存需求相对有限。美银仍看好记忆体产业具备多年成长週期，但预期 2026 年第二季至下半年 ASP 将趋于稳定，2027 年可能出现低于 10% 的价格回档。

以产值推估，美银预期，在 ASP 上涨 50% 至 60% 的支撑下，全球 DRAM 与 NAND 销售额可望大幅成长。DRAM 销售额将由 2025 年的 1,340 亿美元，成长至 2026 年的 2,620 亿美元，年增率约 95%；NAND 销售额则将由 810 亿美元增至 1,470 亿美元，年增幅约 82%。

值得注意的是，NAND 现货市场供给仍偏紧。美银指出，受 2025 年上半年减产的滞后效应影响，NAND 现货供应持续吃紧，本週 1Tb 与 512Gb 规格现货价格再度上涨，涨幅约 5% 至 6%。

从厂商别来看，美银採自下而上的分析方法，依据主要记忆体大厂的历史表现与长期规划推估，认为 SK 海力士 在 HBM 领域的主导地位，于 2026 至 2027 年仍可望延续，并成为推升 DRAM 销售额的核心动能；同时假设三星在 HBM 市场（以销售额计）市占率约为 20%。

美银认为，儘管短期现货价格回档已释出杂音，但在 AI 驱动需求与 HBM 扩产支撑下，记忆体产业中期基本面仍偏正向，后续关键仍在于价格修正幅度与终端需求消化速度。