美光大涨近10% HBM晶片4生产已进入高量产阶段、向客户出货 

美光 (MU-US) 周三 (12 日) 收盘大涨近 10%，高层表示近期疑虑，表示 HBM4 晶片已经进入高量产阶段，而且已向客户出货，比去年 12 月所估的时间表提早了一季。

美光财务长 Mark Murphy 表示，有关高频宽记忆体 (HBM) 的报导不正确，他说：我们已经进入 HBM4 的高产量生产阶段，也已开始向客户出货 HBM4，并看到本季 (第 1 季) 出货量顺利拉升。这比我们在 12 月财报电话会议上提到的时间还早了一季。

美光周三收盘大涨 9.9% 至每股 410.34 美元，一扫近期阴霾。

本周稍早有报导指出，竞争对手三星电子将从本月稍晚开始量产用于辉达 (NVDA-US) 下一代 Rubin GPU 的 HBM4 晶片。在此同时，来自研究机构 SemiAnalyst 的另一则报导披露，美光的 HBM4 产品不太可能加入 Rubin 上市后前 12 个月的供货行列，因为一直无法满足辉达对接脚速度的要求。

Murphy 强调，Micron 的 HBM4 产品传输效能超过每秒 11gigabytes，并表示公司对 HBM4 的产品效能、品质与可靠性，高度有信心。

这位财务长也指出，除了 HBM4 的进展外，美光整体业务动能同样强劲， 他形容美光的业务正处于非凡的成长轨道，需求远高于我们目前的供应能力。

Murphy 说：我们仍预期供需紧张的状况将延续至 2026 年之后。我们正尽一切努力，为客户的长期需求做好规划与投资。

Lynx Equity Strategies 分析师 KC Rajkumar 表示，这次澄清应能平息市场上有关美光 HBM4 能力的杂音。

摩根士丹利 (Morgan Stanley) 周三重申对美光的加码投资建议评等，目标价从 350 美元提高到 450 美元。

美光正準备在新加坡扩充记忆体晶片产能，重点摆在 NAND 快闪记忆体生产上，显示该公司预期长期需求将维持强劲。