记忆体战争升级！美企疯抢韩HBM人才 辉达开出逾800万年薪 美光2倍薪+3亿韩元挖脚
随着 AI 算力需求爆发，记忆体在半导体领域的战略地位骤升，美国科技巨头正掀起针对南韩记忆体人才的高薪抢人大战。
根据外媒报导，辉达、苹果、联发科、高通等科技大厂近期密集在南韩进行定向招聘，目标直指三星电子、SK 海力士的记忆体工程师。
辉达本月发布 HBM 开发工程师职位，基本年薪达 25.875 万美元 (约 818 万台币)，苹果上月招揽 NAND 产品工程师，年薪 30.56 万美元 (约 965 万台币)，联发科也开出约 26 万美元找 HBM 工程师，高通同样开始在南韩招募 3D DRAM 研发人员。
美国企业攻势更趋激进，谷歌、博通在硅谷扩大招募 HBM 人才，分别招募性能评估工程师与高频介面设计专家，特斯拉执行长马斯克亲自转发南韩分公司 AI 半导体设计师招聘，美光自去年下半年起也在南韩挖角，据传为核心 HBM 专家开出现有薪资两倍及 3 亿韩元签约的优资条件。
面对人才流失危机，三星与 SK 海力士被迫加码激励。SK 海力士今年初发放创纪录奖金，金额为月薪的 2964%，三星半导体部门则以年度总薪资 47% 的奖金回应，均为 AI 记忆体热潮以来最高水平。
业界分析指出，这场人才竞争本质是 AI 算力竞赛的延伸，南韩记忆体巨头必须在技术研发与留住人才之间寻找平衡。
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