爱普*硅电容产品进入收割期 分离式硅电容下半年量产

爱普 *(6531-TW) 今 (3) 日召开法说会，公司表示，2026 年 IoTRAM 需求将持续强劲，硅电容 (S-SiCap) 的 IPC 与 IPD 专案将进入扩产期，在先进封装与 3DIC 成长趋势中受惠；VHM 与 VHMStack 专案则将持续研发投入，期能带动下一波高速成长。

爱普 * 强调，公司将持续专注于高效能记忆体、先进封装与 AI 加速领域的关键技术布局，以完整的三大产品线优势掌握 AI 时代带来的结构性成长契机。

爱普 * 指出，IoTRAM 产品线在市场对穿戴式装置、连网设备与显示类应用的升级需求带动下，于第四季维持稳健出货。新一代 ApSRAM 于本季正式量产并获多家客户採用，具备数倍于前代的资料存取频宽与更低功耗，特别契合 AI 功能快速导入穿戴装置与微处理器的产业趋势。

随着市场对记忆体容量与长期供应稳定性的要求升高，公司预期 IoTRAM 将持续从 SDR/DDR 市场取得转换需求，成为长期成长主力，并将在穿戴、显示与轻量 AI 装置推动更多採用。

爱普 * S-SiCap 于去年第四季表现亮眼，主要来自 IPC (具 S-SiCap 的硅中介层) 多个专案于 AI 与 HPC 客户导入后进入量产。第二代 IPC 亦同步进入试产，其电容密度可再提升一倍，并已获主要客户纳入设计流程。

此外，爱普 * 积极推动 IPD (分离式 S-SiCap 电容) 在 embedded substrate 与 Land-side Capacitor (LSC) 应用落地，预计于 2026 年下半年进入量产阶段，以对应 AI/HPC 封装面积日益成长、电源完整性要求大幅提升的市场趋势。

爱普 * 认为，随着 AI 加速器封装面积与功耗不断提升，S-SiCap 将成为未来两年公司重要支柱。另一方面，S-SiCap 也正积极布局新兴的 IVR (Integrated Voltage Regulator) 领域．并与合作伙伴共同开发整合式高效供电方案，以提升先进运算的能效与稳定度。凭藉深厚的 S-SiCap 技术底蕴，爱普 * 在高阶电源模组领域具备明确优势，能在 AI 时代掌握具潜力的发展机会。

爱普 * VHM/VHMStack 产品线已从验证走向实际 AI/HPC 专案开发，目标是协助 ASIC 加速器以更高效能、更低功耗切入大型语言模型推理市场，多项专案已进入产品开发阶段，预计 2027 至 2028 年完成量产验证，为爱普 * 长期成长奠定基础。

针对市场关注的供应链调整，公司也特别说明，合作伙伴力积电铜锣厂的产线调整，对爱普 * 整体营运的预期影响相当有限。公司已在第一时间与客户协调，对应调整投产时程，并与力积电保持密切合作，加速製程转移与相关验证流程，以确保产品交期维持稳定。规划皆在掌控之中，预期对后续出货影响可望降至最低。

爱普 * 去年第四季营收 18.68 亿元，年成长 52.45%，毛利率 49.86%，季增 3.85 个百分点，营益率 30.64%，季增 5.15 个百分点，税后纯益 7.66 亿元，年增 52.37%，每股税后纯益 4.71 元。

爱普 * 去年全年营收 56.66 亿元，年增 35.16%，毛利率 46.48%，年减 4.7 个百分点，营益率 24.69%，年减 0.87 个百分点，税后纯益 12.58 亿元，年减 20.31%，每股税后纯益 7.74 元。爱普 * 日前董事会决议派发每股现金股利新台币 7 元。