美光科技：开始为辉达量产HBM4记忆体 铜锣厂年底前启动第2座晶圆厂
美光科技 (MU-US)周一 (16 日) 在辉达 GTC 大会上宣布，旗下多款记忆体产品已同步进入大规模量产阶段，这些产品均围绕辉达 Vera Rubin 平台设计。
美光表示，HBM4 产线已在今年首季度开始量产并出货，首批产品为 36GB 的 12 层堆叠版本，专为 Vera Rubin 平台打造。该产品的引脚速率超过 11Gb/s，可提供超过 2.8TB/s 的记忆体频宽，相比上一代 HBM3E 提升约 2.3 倍，同时功耗效率提升超过 20%。
此外，美光也指出，目前已向客户提供 16 层堆叠 48GB HBM4 的早期样品。相较于 12 层版本，该型号单颗容量提升 33%，能进一步提升单个 HBM 位置可用记忆体容量。
同日，美光亦称打算在最近从力积电手中收购的铜锣晶圆厂址之一建设第二座大型晶圆製造设施。
美光在最新声明中表示，这座新晶圆製造设施将説明该公司大幅扩大最先进的资料中心级别 DRAM 系列产品的供应规模，其中主要包括 HBM，以支持持续激增的 AI 算力需求。新建设计画预计将于美光 2026 财年年底之前启动。
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