韩媒：美光科技尝试垂直堆叠GDDR 欲在标準GDDR与HBM之间开闢新路
韩媒《ETNEWS》周一 (30 日) 报导指出，美光科技(MU-US) 正积极研发垂直堆叠 GDDR 新型记忆体产品，预计最早于 2027 年推出原型，此举旨在标準 GDDR 与 HBM 之间开闢全新技术路线。儘管在 AI 记忆体领域的热度不及 HBM，但 GDDR 凭藉在图形 GPU 领域的深厚积累，仍在 AI XPU 记忆体市场佔有一席之地。
当前 AI 推理需求蓬勃发展，各类缓存与记忆体均有其独特应用场景。垂直堆叠 GDDR 凭藉较低成本与更大容量的优势，可望成为记忆体大厂新一轮技术竞争的焦点。业内人士分析指出，该技术若能实现量产，将为中高端 AI 加速卡提供更具性价比的解决方案。
值得注意的是，辉达的 RTX PRO 专业显卡及部分 AI ASIC 项目已採用 GDDR 技术，而曾被搁置的 Rubin CPX 项目在最初规划中也考虑配备 GDDR。这显示儘管 HBM 在高端市场佔据主导地位，但 GDDR 仍在特定应用场景保持竞争力。
美光此次技术布局，反映记忆体市场正朝多元化方向发展。在 AI 推理应用日益普及的背景下，不同类型的记忆体方案将根据性能、成本和功耗需求在不同细分市场找到发展空间。垂直堆叠 GDDR 的问世，有望为中端 AI 加速器市场带来新的选择。
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