玻璃基板量产竞赛加速！英特尔携手3DGS砸33亿美元赴印建厂　

印度政府近日宣布，半导体巨头英特尔 (INTC-US) 与美国半导体技术公司 3D Glass Solutions（3DGS）将联手投资约 33 亿美元，在印度东部奥里萨邦建立一座半导体基板製造厂。

据了解，该工厂预计在未来五至六年内完工，选址位于布巴内斯瓦尔—库尔达地区，主要聚焦生产应用于先进封装的玻璃基板、高密度互连基板及其他相关半导体产品。印度政府则承诺提供数十亿美元级别的补贴支持，并预计将带动超过 1800 个高技能直接就业机会。

‌

3DGS 成立于 2005 年，2014 年后切入半导体先进封装领域，掌握积体被动元件（IPD）与玻璃基板 3D 封装（3DHI）等核心技术。

今年 4 月，由英特尔参与支持的封装工厂已在印度奥里萨邦首府布巴内斯瓦尔正式动工，预计达产后年产能可达 5,000 万个玻璃基板 3D 封装单元。

英特尔的玻璃基板战略不仅限于印度。据报导，英特尔计画改造其位于美国新墨西哥州的里奥兰乔工厂，目标打造为全球首个玻璃基板量产基地。

目前，公司已在亚利桑那州钱德勒园区建立玻璃基板试验线，里奥兰乔工厂则凭藉预留的扩建空间，将正式引入量产线，配套用于 EMIB 先进封装技术。

与此同时，英特尔据报正向全球供应链合作伙伴大规模推进材料、零组件与设备的採购订单，多项供应合约已签署完成，投资规模达数兆韩元，重点聚焦于扩大 EMIB 产能及融入玻璃基板封装方案。

全球巨头竞相跟进，2028 年恐成量产分水岭

玻璃基板的商业化浪潮已席捲全球半导体产业。

中泰证券指出，台积电 (2330-TW) 的 CoPoS 试验线预计今年启动，并于 2028 年底实现量产，辉达 (NVDA-US) 可能成为首批客户；三星电机则计画于 2027 年量产，预估 2028 年进入快速渗透期，2026 年有望成为玻璃基板商业化的元年。

在应用端，东方证券表示，玻璃基板除了在先进封装领域的应用逐步成熟外，亦可作为硬碟（HDD）的记录介质。

随着大容量储存需求攀升，固态硬碟中採用热辅助磁记录（HAMR）技术的比例有望持续提升。HAMR 技术藉由新型介质磁技术缩小资料位元、提高储存密度，但其高温特性使得耐高温的玻璃基板有望取代传统铝碟片，成为重要选择。

国际半导体产业协会 SEMI 最新预测，随着 AI 与高效能运算（HPC）需求持续成长，玻璃基板的初期生产可能约于 2028 年启动，并逐步扩展至更广泛的半导体封装应用。

SEMI 预估，2028 年至 2040 年间，玻璃基板市场的複合年成长率将高达 67.2%。