HBM需求暴增 瑞银：DRAM供不应求将持续至2028年

瑞银集团 (UBS) 最新发布 7 月《记忆体晶片月度报告》指出，全球记忆体晶片市场刚创下历史最佳单月表现，单月销售额达 746 亿美元，月增 31.7%，刷新历史纪录。随着人工智慧 (AI) 带动高效能运算与资料中心需求快速攀升，以及长期供货协议 (LTA) 持续签订，瑞银认为记忆体产业景气循环正持续升温，全球结构性供应不足最快也要到 2028 年中才可能缓解。

报告指出，DRAM 仍是记忆体市场最大产品类别，单月销售额约 480 亿美元，较前月成长 27.7%；NAND Flash 表现更为强劲，单月营收达 258 亿美元，月增 40.7%，同样创下历史新高。

NAND Flash 是固态硬碟 (SSD) 及资料中心储存设备的核心元件。随着 AI 模型训练与推论运算快速增加，企业对高容量、高效能储存设备需求同步爆发，成为推升 NAND 市场的重要动能。

整体而言，瑞银预估 2026 年全球记忆体产业营收将达 9,920 亿美元，2027 年更将大幅成长至约 1.76 兆美元，几乎较前一年翻倍。

报告指出，本轮记忆体景气最重要的成长引擎来自高频宽记忆体 (HBM)。HBM 主要搭配 AI 加速器使用，包括辉达 (Nvidia) (NVDA-US)AI GPU 等产品，目前已成为 AI 伺服器不可或缺的重要零组件。

瑞银预估，2026 年 HBM 需求将年增 90%，达 331 亿 Gb；2027 年需求可望再成长 77%，进一步攀升至 587 亿 Gb，反映 AI 基础建设仍将持续高速扩张。

在供应商方面，瑞银认为，美光科技 (Micron Technology) (MU-US)、三星电子(Samsung Electronics) 及 SK 海力士 (SK hynix) 将是本轮记忆体价格上涨的最大受惠者。三家公司目前合计掌握全球绝大部分 DRAM 及 NAND Flash 供应能力，在供给吃紧下，获利能力可望持续改善。

瑞银指出，全球大型云端服务业者仍将持续扩大 AI 资料中心投资，带动记忆体需求维持高档，因此记忆体市场的结构性供应不足至少将持续至 2028 年第二季。

价格方面，瑞银同步上修 DDR 记忆体合约价格预估，预期 2026 年第三季将较前一季上涨 32%，第四季再上涨 18%；NAND Flash 价格也可望同步走强，第三季预估上涨 30%，第四季续涨 12%。

供需结构方面，瑞银预估 2027 年全球 DRAM 需求将年增 36.2%，但供给仅增加 19.3%，需求增速几乎是供给的两倍，因此供需缺口短期内难以改善，也是支撑价格持续上涨的重要因素。

不过，瑞银也提醒，AI 投资热潮并非毫无风险。报告指出，目前最大的不确定因素并非供给，而是客户对持续涨价的承受能力，以及 AI 相关资本支出是否能长期维持高成长。

瑞银表示，超大型云端服务商 (Hyperscaler) 未来是否持续投入 AI 资料中心建设，仍将是决定本轮记忆体超级景气周期能否延续的关键变数。若 AI 资本支出放缓，可能影响记忆体需求增速，进而改变目前市场对供需缺口及价格上涨的预期。

儘管如此，瑞银认为，目前 AI 带动的记忆体需求仍远高于供给增速，整体产业基本面并未改变，HBM、DRAM 及 NAND 市场仍处于结构性供不应求阶段，记忆体超级循环尚未结束。