〈南亚科法说〉下半年记忆体价格续涨 明年资本支出暴冲估逾2000亿元

南亚科 (2408-TW) 今 (10) 日召开法说会，总经理李培瑛表示，因应新厂建置、先进製程及客製化记忆体需求，公司今年资本支出预计达 500 多亿元，明年内部初步规划将拉升至 2,000 多亿元，虽然相关预算仍待董事会核准，但投资规模将较今年大增逾 2 倍。

李培瑛指出，南亚科新厂最终满载月产能规划为 4.5 万片，整体资本支出预估约 4,800 亿元，目前前期投入金额接近、但尚未达 1,000 亿元，后续大部分建厂及设备投资将集中在未来几年。

依目前规划，南亚科新厂第一阶段月产能将于 2028 年达到 3 万片，并预计在 2029 年进一步提升至 3.6 万片。至于后续由 3.6 万片扩充至 4.5 万片的时程，仍须视 AI 基础设施、客製化记忆体及晶圆键合等先进封装设备的配置需求而定，目前尚未订出明确时间。

针对庞大资本支出是否需要对外募资，李培瑛表示，南亚科目前财务状况健康，现有资金原则上可支应后续投资，现阶段没有强烈募资需求，但仍不排除依长期资金规划评估其他筹资工具。

在记忆体价格方面，南亚科第二季平均售价较第一季大涨超过 60%，在销售量与上季大致持平下，带动单季营收季增 68.2%、达 825.49 亿元，毛利率也攀升至 79.5%，单季每股纯益 14.66 元，双双改写公司历史新高。

展望第三季，李培瑛虽未直言平均售价实际，但明确表示，第三季市场价格仍高于第二季，且目前第三、第四季营运状况看来还会持续改善。他指出，南亚科现有产能已接近满载，在新厂产能开出前，短期销售量难有明显增加，因此后续营运成长将主要来自记忆体价格上涨及产品组合改善。

李培瑛表示，AI 伺服器与云端资料中心需求强劲，带动 HBM、伺服器 DDR5 及其他高容量需求持续成长，也排挤手机、PC、车用及消费性电子等一般型 DRAM 产能。

目前记忆体缺货已不仅限于高阶产品，DDR5、DDR4 甚至 DDR3 均出现供应吃紧及价格上扬，预期供给不足情况还会延续数季以上。

对于记忆体价格涨幅是否可能逐步收敛，李培瑛表示，价格仍取决于供需缺口及终端市场的成本承受能力。部分低价、小型终端产品可能因记忆体成本占比提高，选择降低容量或减少採购，但目前整体市场需求仍大，供应缺口也没有明显缩小。

他以电视市场为例，高阶产品较能吸收记忆体涨价，低阶产品则面临较大成本压力，未来终端市场可能进一步往高阶产品集中，手机、电视等产品售价也可能因记忆体成本上升而调整。

南亚科目前长期供应合约 (LTA) 已涵盖约 50% 产能，合约期间从一季、一年至数年不等，公司正逐步把短期合约转为更长期的供应协议，提高未来产能及价格的可预测性。

产品组合方面，南亚科上半年 AI 基础设施及伺服器相关产品营收占比已超过 20%，目前 DDR5 营收比重约 10%，LPDDR5 则预计于下半年开始进行客户验证。

李培瑛认为，AI 需求已使记忆体产业出现结构性改变，除了 GPU 外，CPU、TPU 及 ASIC 等 AI 运算晶片也持续推升高速、大容量 DRAM 需求。在新产能大规模开出前，记忆体市场供需仍将维持紧俏，价格也有望延续上行趋势。