三星、英特尔晶圆代工布局新技术发展，台积电以稳健验证架构面对挑战

在当前竞争激烈的先进半导体製程市场中，包括英特尔与三星都正为其下一代先进製程研发新式供电技术，进行差异化的发展以进一步挑战市场龙头台积电。

半导体业界消息指出，传统上晶片普遍採用正面供电方式，而近期将电源线移至晶片背面的背面供电网路（BSPDN）则被视为新世代标準技术。不过，英特尔更进一步，考虑在其 intel 14A2 同时利用正面与背面的混合供电方案。这代表着英特尔在次世代製程竞争中，再次选择了製造难度极高的技术。

报导指出，若採用此结构，将可有效缩短电力传输距离、缓解电压降（IR Drop）问题，并大幅提升整体效能与电力效率。但相对地，这会使製程结构变得极度複杂，製造难度随之飙升，确保良率的压力也会大幅增加。儘管该技术目前仍处于内部评估阶段，但这显示出英特尔正积极思考全新的次世代製程设计方式。

业界分析指出，这并非英特尔首次採取此类激进策略。在之前的 intel 18A 先进製程中，英特尔便计画同时导入次世代电晶体结构 GAA（环绕式闸极）以及背面供电（PowerVia）技术，试图透过抢先竞争对手导入新技术，来快速缩小技术差距。

至于，韩国三星方面也採取了极为相似的发展路线，不仅在业界首创将 GAA 技术应用于 3 奈米製程量产，更计画在预计 2027 年量产的 2 奈米强化製程SF2Z中，正式导入背面供电（BSPDN）技术。这些技术虽然製造门槛极高，却是提升晶片效能与电力效率的关键。

相较之下，市场龙头台积电则採取了阶段性量产已验证技术的稳健策略。例如，台积电导入 GAA 技术的时机晚于三星，预计从 2 奈米製程才开始採用。另外，在背面供电技术方面也计画延至 A16 製程才会导入。业界人士分析认为，台积电因为已掌握了庞大的客户基础与极高的市佔率，因此能将稳定的良率与量产能力放在首位。反观作为追赶者的三星与英特尔，则处于必须承担技术风险以创造差异化的处境。

半导体业界相关人士表示，在晶圆代工市场中，越是领先的企业，越倾向选择经过验证的技术。而后进业者为了改变市场版图，往往会选择率先引进新技术。该人士也强调，儘管伴随的技术风险极高，但一旦成功就能彻底改变市场评价，这正是三星与英特尔在次世代製程上决定奋力一搏的根本原因。