AI晶片封装大突破 日厂新光电气做出「22层玻璃基板」

日本半导体封装基板製造商新光电气工业（Shinko Electric Industries）在玻璃基板技术取得重大突破，成功建构22层铜布线结构，在玻璃基板两面各堆叠11层铜布线层，显示玻璃基板朝高层数、高密度封装再跨出关键一步。

玻璃基板长期被视为先进半导体封装的重要发展方向，但实际应用一直受到SeWaRe问题限制，也就是玻璃内部可能出现裂缝或分层。

玻璃虽具有优异平整度与低热膨胀係数，但材质本身较脆，在加工及热循环过程中容易产生微裂纹，进而影响产品良率与可靠性。

新光电气此次透过材料创新突破这项瓶颈，在玻璃基板边缘使用高分子（聚合物）系列保护材料，藉此分散热量施加时集中于特定部位的应力，即使经过热负载后，仍能有效抑制SeWaRe发生。

除了改善玻璃裂缝与分层问题，新光电气也同步推进玻璃通孔（TGV）製程，也就是製作贯穿玻璃基板的微细孔洞，以及绝缘层与铜布线层的多层堆叠技术。

此次成功打造22层结构，意味玻璃基板已具备与目前高阶有机基板同等级的布线能力，同时在尺寸稳定性与抗翘曲方面具有优势。

新光电气成立于1946年，1959年以玻璃－金属密封技术为基础跨入半导体封装领域，目前是英特尔、AMD等晶片大厂的重要供应商。

2023年，富士通将新光电气出售给由日本政府支持的投资公司JIC、大日本印刷（DNP）及三井化学等组成的财团。

随着AI晶片逐步朝多晶片整合发展，封装尺寸持续放大，传统有机基板的热翘曲问题也更加突出，使玻璃基板凭藉高刚性、低热变形等特性，逐渐成为大型AI晶片封装的重要技术选项。

目前多家业者已加速投入玻璃基板领域。三星马达透过与东友Fine-Chem成立合资公司GlaSSEM推进相关业务；英特尔也在2026年初宣布攻克No SeWaRe难题，台积电则已发布CoWoS玻璃基板开发计画，显示玻璃基板技术竞争持续升温。

业界普遍将2026年视为玻璃基板商业化元年。根据机构测算，2026年全球封装玻璃基板市场规模预估达186亿美元。

新光电气此次完成22层玻璃基板，不仅验证高层数堆叠的技术可行性，也进一步推动玻璃基板由技术开发朝大规模量产迈进。