挑战台积电！英特尔14A製程进展加速、缺陷密度改善创22奈米以来最快

英特尔(INTC-US) 14A製程进展传出正面讯号，财务长David Zinsner表示，14A缺陷密度的改善速度已达到公司自2012年22奈米製程推出以来最快水準，且首批14A产品已启动设计，显示製程成熟度与客户兴趣同步提升。英特尔预计14A于2027年进入风险试产、2028年量产，并持续开发採用正反面供电架构的第二代14A2製程。

根据《Wccftech》报导，Zinsner日前在德意志银行（Deutsche Bank）2026年科技大会上谈及14A製程的发展。

他指出，从缺陷密度（defect density）的改善情况来看，14A目前的进展速度与当年的22奈米製程相近。英特尔22奈米製程节点具有历史意义，因为这是该公司首次导入FinFET电晶体设计技术的製程节点。

製程技术的缺陷密度是衡量晶圆单位面积内缺陷或污染程度的指标，通常以每平方公分的缺陷数量计算。

14A是英特尔未来製程蓝图的关键节点。公司先后在前执行长Pat Gelsinger及现任执行长陈立武（Lip-Bu Tan）领导下，均将提升晶圆代工业务竞争力视为重要目标，希望在全球晶圆代工市场追赶台积电(2330-TW) 在晶片代工上的地位。

英特尔今年7月曾确认，14A製程预计在2027年进入风险试产，并将于2028年进入量产，较公司先前提出的2028年风险试产规划有所提前。

Zinsner此次谈话也延续他去年对14A成熟度的说法。2025年他曾表示，若比较14A与18A在相同成熟阶段的表现，14A在效能与良率方面更为出色。如今时隔约一年，他进一步指出，14A缺陷密度的改善速度正接近22奈米製程当年的水準。

值得注意的是，Zinsner透露，英特尔已经开始设计首批採用14A製程的产品。14A能否获得客户採用，是英特尔晶圆代工业务能否成功的重要因素，公司管理层过去也曾表示，若客户对14A的兴趣不足，可能对该製程的发展造成影响。

英特尔目前也同步开发14A的第二代版本14A2。据悉，14A2将採用晶片正面与背面供电的设计，以改善先进製程下的供电问题。随着製程尺寸持续缩小，晶片内部负责传输讯号的导线可能出现电压下降，因此需要改变供电架构，以因应相关挑战。